[发明专利]一种高密度MOM电容器结构及其设计方法

权利要求书

1.一种高密度MOM电容器结构的设计方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

1）根据CMOS工艺要求，最小线宽ME1W、最小间距ME1S、最小线末端间距ME2S，确定代表上、下极板的两条线条状金属条，设代表上极板金属条的总长L₁，代表下极板金属条的总长L₂；

2）选取两个固定点，分别作为上极板金属条起始点P₁和下极板金属条起始点P₂，且两个固定点横向间隔ME1W+ME1S，设基本结构单位中第一次旋转时上极板金属条的长度L₁₁和下极板金属条的长度L₂₂；

3）分别以上极板金属条起始点P₁和下极板金属条起始点P₂作为起始点，相对向外逐圈旋绕，旋转圈数N，且每次旋转两条金属条的间距满足最小线宽ME1W的设计要求；

4）根据重构方式，形成不同螺旋状的金属条排布，具体如下：

转向次数重构方式：首先选择重构阶数，然后计算第一次旋转时，两个线条状金属条第一次旋转时长度TL₁₁、TL₂₂与基本结构单元中第一次旋转时长度L₁₁、L₂₂的关系，按照相同的方法进行旋绕；

组重构方式：首先选择重构阶数，然后选择基本结构单元或转向次数重构结构进行拼接；

转向次数-组重构方式：首先选择重构阶数，然后选择转向次数重构和组重构进行拼接,或者另外N组转向次数-组重构结构进行拼接；

阵列重构方式：首先选择阵列行数与列数，然后选择结构单元组成阵列；

叉指电容重构方式：首先选择重构中使用的基本单元与叉指电容大小，再选取前述的一种重构方式；

5）对所述的金属条进行光刻仿真及电容密度验证，若验证不满意则返回步骤2），若满意，则交付生产。

2.根据权利要求1所述的高密度MOM电容器结构的设计方法，其特征在于，步骤5）光刻仿真及电容密度验证，具体如下：

首先，定义高密度电容器结构的电极版图一和参考电容器的电极版图二，二者的电极线宽、线间距和电容总面积相等；

其次，对所述的高密度电容器结构的电极版图一和参考电容器的电极版图二分别进行光刻仿真，得到版图三、版图四，对比其光刻热点的数量；

最后，对版图一至图四进行电容参数提取，对比其电容值的大小以及光刻前后的变化，若光刻仿真发现短路或断路的风险小，且光刻仿真前后的电容值在所需范围之内，则合格。

3.根据权利要求1或2所述的高密度MOM电容器结构的设计方法，其特征在于，若多层金属层，则每层金属层按照相同的方法进行构建，且每层的两个金属条的端部应有呈直线状排列的多个通孔。