[发明专利]高速25G半导体激光器芯片的封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种高速25G半导体激光器芯片的封装结构，其特征在于，所述高速25G半导体激光器芯片的封装结构包括：封装壳体及嵌合于所述封装壳体内部的半导体激光器本体；

所述封装壳体内部的上下两面焊接有具有多个热传热系数的两个复合衬底，所述两个复合衬底之间设有至少两个垂直于所述复合衬底的过渡热沉块，相邻两个过渡热沉块之间设有一个半导体激光器本体，所述复合衬底由多层具有不同热传热系数基板焊接而成，且呈热传热系数梯度变化的方式焊接多个不同热传热系数的基板，最内层基板的热传热系数最大，最外层基板的热传热系数最小；

所述过渡热沉块由两个基础热沉和一个绝缘热沉组成，其中，所述绝缘热沉嵌合于所述两个基础热沉之间，所述过渡热沉块的温度不随传递到它的热量的大小变化而变化；所述相邻两个过渡热沉块与所述两个复合衬底之间组成四周密封的密封封装空腔，所述密封封装空腔内填充有惰性气体。

2.如权利要求1所述的高速25G半导体激光器芯片的封装结构，其特征在于，所述半导体激光器本体由半导体激光器芯片，光耦合器及基板组成，其中，所述半导体激光器芯片固定在基板上，所述激光器芯片的一侧与所述光耦合器连接。

3.如权利要求1所述的高速25G半导体激光器芯片的封装结构，其特征在于，所述半导体激光器本体的边模抑制比处于55db至80db之间。

4.一种高速25G半导体激光器芯片的封装方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1至3任一项所述的高速25G半导体激光器芯片的封装结构，所述高速25G半导体激光器芯片的封装方法包括：

利用焊料将一个绝缘热沉键合于两个基础热沉之间，形成过渡热沉块；

利用焊料将至少两个过渡热沉块垂直键合到具有多个热传热系数的一个复合衬底上，形成含有半密闭封装空腔的半封装壳体；

将半导体激光器本体嵌合于所述半密闭封装空腔中，并将具有多个热传热系数的另一个复合衬底通过焊料垂直键合到所述过渡热沉块上，形成含有密闭封装空腔的封装壳体；

向所述封装壳体的密闭封装空腔内填充惰性气体，并密封所述封装壳体；

所述复合衬底由多层具有不同热传热系数基板焊接而成，且呈热传热系数梯度变化的方式焊接多个不同热传热系数的基板，最内层基板的热传热系数最大，最外层基板的热传热系数最小，所述过渡热沉块的温度不随传递到它的热量的大小变化而变化。

5.如权利要求4所述的高速25G半导体激光器芯片的封装方法，其特征在于，所述焊料包括AuSn薄膜焊料。