[发明专利]一种红外光学产品复合增透膜及其制备方法

权利要求书

1.一种红外光学产品复合增透膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将基材用有机清洗剂进行超声处理；所述基材为硒化锌或硫化锌；

(2)将步骤(1)处理后的基材真空微波预热后，通入保护气氛并调节微波功率和磁场线圈电流使基材的磁场强度为0.08～0.09T，待辉光产生后，停止保护气氛并通入H₂对基材进行等离子体腐蚀；

(3)将步骤(2)处理后的基材用ECR-MPCVD法通入工艺气体进行GeC/DLC复合膜预镀膜；所述工艺气体为C源气体、Ge源气体和载气，所述载气为H₂；

所述基材为硒化锌时，步骤(3)所述Ge源气体在工艺气体中的体积含量为0.5～2％，C源气体在工艺气体中的体积含量为2～5％，所述工艺气体的总气体流量为80～120sccm；

所述基材为硫化锌时，步骤(3)所述Ge源气体在工艺气体中的体积含量为0.5～1％，C源气体在工艺气体中的体积含量为1.5～3％，所述工艺气体的总气体流量为80～120sccm；

(4)将步骤(3)所得镀膜后基材用H₂进行等离子体腐蚀后，用ECR-MPCVD法通入工艺气体进行DLC膜镀膜；所述工艺气体为C源气体和载气，所述载气为H₂；

(5)将步骤(4)所得镀膜后基材用H₂进行等离子体腐蚀后，用ECR-MPCVD法通入工艺气体进行GeC膜镀膜；所述工艺气体为Ge源气体和载气，所述载气为H₂；

(6)将步骤(5)所得镀膜后基材用H₂进行等离子体腐蚀后，用ECR-MPCVD法通入工艺气体进行DLC膜镀膜，即得所述红外光学产品复合增透膜；所述工艺气体为C源气体和载气，所述载气为H₂。

2.如权利要求1所述红外光学产品复合增透膜的制备方法，其特征在于，所述C源气体为苯、甲烷或丁烷的其中一种；所述Ge源气体为GeH₄。

3.如权利要求1所述红外光学产品复合增透膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述真空微波预热时的真空度为4.5～5.5×10^-4Pa，时间为5～15min；所述保护气氛为Ar，所述保护气氛通入的流量为10～20sccm，微波功率为280～320W，磁场线圈电流为100～105A。

4.如权利要求3所述红外光学产品复合增透膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述H₂的通入量为8～12sccm，等离子体腐蚀的时间为8～12min。

5.如权利要求1所述红外光学产品复合增透膜的制备方法，其特征在于，所述基材为硒化锌时，所述预镀膜时的气体压强为10～20Pa，磁场线圈电流为100～105A，微波功率为800～1000W，直流负偏压为100～500V，温度为150～250℃，预镀膜的时间为4～6min。

6.如权利要求1所述红外光学产品复合增透膜的制备方法，其特征在于，所述基材为硫化锌时，所述预镀膜时的气体压强为5～8Pa，磁场线圈电流为100～105A，微波功率为500～800W，直流负偏压为200～500V，温度为150～250℃，预镀膜的时间为8～12min。

7.如权利要求1所述红外光学产品复合增透膜的制备方法，其特征在于，所述基材为硒化锌时，步骤(4)所述DLC膜镀膜时C源气体在工艺气体中的体积含量为4～6％，气体压强为5～8Pa，DLC膜镀膜的时间为8～12min；所述基材为硫化锌时，步骤(4)所述DLC膜镀膜时C源气体在工艺气体中的体积含量为1.5～3％，气体压强为5～8Pa，DLC膜镀膜的时间为13～17min。