[发明专利]碳化硅衬底蚀刻治具在审

专利信息
申请号: 202011644347.1 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112853499A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 王泽隆;张洁;林武庆;苏双图;陈文鹏 申请(专利权)人: 湖南三安半导体有限责任公司
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10;C30B29/36
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 严诚
地址: 410000 湖南省长沙市高新开发*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 碳化硅 衬底 蚀刻
【权利要求书】:

1.一种碳化硅衬底蚀刻治具,其特征在于,包括多个容置盘(11)和转轴(12);

所述容置盘(11)用于容置碳化硅衬底;

多个所述容置盘(11)依次层叠设置,所述转轴(12)与多个所述容置盘(11)转动连接,且任意一个所述容置盘(11)均能够独立绕所述转轴(12)转动。

2.根据权利要求1所述的碳化硅衬底蚀刻治具,其特征在于,每个所述容置盘(11)均开设有第一容置凹槽(111),所述第一容置凹槽(111)的侧壁与所述碳化硅衬底匹配。

3.根据权利要求2所述的碳化硅衬底蚀刻治具,其特征在于,所述第一容置凹槽(111)的开口边缘上开设有一个或多个第一取放缺口(112)。

4.根据权利要求3所述的碳化硅衬底蚀刻治具,其特征在于,所述第一容置凹槽(111)的底壁开设有第二容置凹槽(114),所述第二容置凹槽(114)也用于容置碳化硅衬底。

5.根据权利要求4所述的碳化硅衬底蚀刻治具,其特征在于,所述第二容置凹槽(114)的底壁开设有取放通孔,所述取放通孔贯穿所述第二容置凹槽(114)的底壁。

6.根据权利要求2所述的碳化硅衬底蚀刻治具,其特征在于,所述碳化硅衬底蚀刻治具(10)还包括卡扣件(13),所述卡扣件(13)可拆卸地盖设于所述容置盘(11),以盖住所述第一容置凹槽(111)。

7.根据权利要求6所述的碳化硅衬底蚀刻治具,其特征在于,所述第一容置凹槽(111)的开口外周位置上凸设有第一卡扣部(113);

所述卡扣件(13)一端与所述第一容置凹槽(111)的开口外周位置转动连接,另一端可拆卸地卡接于所述第一卡扣部(113)。

8.根据权利要求7所述的碳化硅衬底蚀刻治具,其特征在于,所述卡扣件(13)上设有第二卡扣部(132),所述第二卡扣部(132)能够在外力作用下发生弹性形变,以在所述第二卡扣部(132)沿所述容置盘(11)的径向方向向外发生弹性形变时,解除与所述第一卡扣部(113)的卡接。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的碳化硅衬底蚀刻治具,其特征在于,所述碳化硅衬底蚀刻治具(10)包括箱体(14),所述箱体(14)上开设有取放开口(141),所述转轴(12)与所述箱体(14)连接,多个所述容置盘(11)位于所述箱体(14)内,且能够绕所述转轴(12)转动,以经所述取放开口(141)转出所述箱体(14)。

10.根据权利要求9所述的碳化硅衬底蚀刻治具,其特征在于,所述碳化硅衬底蚀刻治具(10)还包括挡罩(15),所述挡罩(15)可活动连接于所述箱体(14),所述挡罩(15)能够相对于所述箱体(14)运动,以关闭或打开所述取放开口(141)。

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