[发明专利]一种硅基负极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202011644581.4 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112820871A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 孙健;邱基华 | 申请（专利权）人： | 潮州三环（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;周全英 |
| 地址： | 515646 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基负极材料，其特征在于，所述硅基负极材料包含如下颗粒的导电粉末，该颗粒包括含硅化合物及涂覆在含硅化合物表面的碳涂层；在对该导电粉末进行热分析时，放热峰对应的温度为500-750℃。
2.如权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于,在对该导电粉末进行热分析时，放热峰对应的温度为600-750℃。
3.如权利要求2所述的硅基负极材料，其特征在于,所述含硅化合物为SiOx，其中x的比例在0.7-1.5之间，同时，C在Si-O-C体系中所占元素摩尔比在1％-10％之间。
4.如权利要求3所述的硅基负极材料，其特征在于，该含硅化合物颗粒粒径分布的D50介于1μm-10μm之间，碳包覆层的厚度为10nm-500nm。
5.如权利要求1～4任一项所述的硅基负极材料，其特征在于,所述碳涂层的碳源气体为分子式中碳原子数不大于4的烷烃，或/和分子式中碳原子数不大于2的炔烃。
6.一种如权利要求1～5任一项所述的硅基负极材料的制备方法，其特征在于,所述方法为：将粒度分布均匀的含硅化合物粉体，置于反应炉内进行热解碳沉积。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于,沉积温度为600-1050℃，沉积时间为1-20小时。
8.一种锂离子二次电池，其特征在于，包含权利要求1～7任一项所述的硅基负极材料。
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