[发明专利]一种CdTe太阳电池的制作方法

权利要求书

1.一种CdTe太阳电池的制作方法，其特征在于，包括步骤：

1)提供一个带有底电极的衬底层，在衬底层的底电极上沉积CdS/CdSe缓冲层；在CdS/CdSe缓冲层上沉积CdTe光吸收层，通过活化退火工序对所述CdTe光吸收层进行活化退火处理；

2)在所述活化后的CdTe光吸收层上沉积背电极层；

3)提供一个带有三个激光头阵列的激光器，所述激光器的三个激光头同时在CdTe薄膜上刻线，第一激光头的激光刻断底电极、缓冲层、光吸收层和背电极层，第二和第三激光头的激光刻断缓冲层、光吸收层和背电极层；三个激光头阵列同时工作，将整个膜层分割为多个电池单元；

4)采用丝网印刷工艺在在第一激光器刻线处印刷低温固化绝缘胶，填充于第一激光头刻线槽内；

5)采用丝网印刷工艺在第一激光器和第二激光器刻线处印刷低温固化导电浆料，固化后得到多个电池单元串联的CdTe太阳电池。

2.根据权利要求1所述一种CdTe太阳电池的制作方法，其特征在于：所述衬底层为超白玻璃基板、钢化玻璃基板、有机玻璃基板；所述底电极的材料为ITO导电膜层、FTO导电膜层和AZO导电膜层中的一种。

3.根据权利要求1所述一种CdTe太阳电池的制作方法，其特征在于：所述CdS/CdSe缓冲层厚度50～100nm，CdTe光吸收层厚度2.0～4.0μm；所述CdS/CdSe缓冲层和所述CdTe光吸收层的沉积方法包括气相传输沉积、近空间升华沉积。

4.根据权利要求1所述一种CdTe太阳电池的制作方法，其特征在于：所述活化退火温度为350～600℃，时间为5～40min。

5.根据权利要求1所述一种CdTe太阳电池的制作方法，其特征在于：所述低温固化绝缘胶包括环氧绝缘胶、丙烯酸绝缘胶、聚氨酯绝缘胶、PI绝缘胶、绝缘硅胶。

6.根据权利要求1所述一种CdTe太阳电池的制作方法，其特征在于：所述低温固化导电浆料为导电银浆、导电铜浆、导电镍浆、导电银包铜浆、导电银包镍浆、导电金浆料中的一种。

7.根据权利要求1所述一种CdTe太阳电池制作方法，其特征在于：所述激光刻线宽度20～100μm，每组刻线内相邻刻线边缘间距30～100μm。

8.根据权利要求1所述一种CdTe太阳电池制作方法，其特征在于：所述背电极层的厚度220～250nm，背电极材料包括钼、银、铜、金。

9.根据权利要求1～7任意一项所述一种CdTe太阳电池背电极制作方法，其特征在于：所述CdTe光吸收层和背电极层之间沉积一层背接触层，材料为Cu掺杂ZnTe，厚度20～30nm，所述背接触层被激光刻断。

10.根据权利要求1～7任意一项所述一种CdTe太阳电池背电极制作方法，其特征在于：所述透明底电极和所述CdS/CdSe缓冲层之间有一层窗口层，窗口层为MgZnO膜层，窗口层的厚度40～70nm。