[实用新型]一种限流启动电路结构有效
| 申请号： | 202020000988.2 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN211183792U | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 程子晗;袁宏强;赵国富;彭光辉;高博 | 申请（专利权）人： | 河北高达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/36 | 分类号： | H02M1/36;H02M1/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 050222 河北省石家庄市*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 限流 启动 电路 结构 | ||
1.一种限流启动电路结构，其特征在于：包括限流供电电路、主供电电路、检测电路和单片机，所述限流供电电路、主供电电路、检测电路均与单片机电连接，所述检测电路用于检测用电设备开关的闭合/断开状态，并将检测的开关信号传送至单片机；
所述限流供电电路包括限流电阻(R1)、第一偏置电阻(R4)、第二偏置电阻(R5)、第三偏置电阻(R6)、第四偏置电阻(R7)、稳压管(D1)、P沟道MOS管(Q1)、第一NPN型三极管(Q2)；限流电阻(R1)一端接用电设备，另一端经P沟道MOS管(Q1)的漏极接供电设备，第一偏置电阻(R4)和稳压管(D1)并接在P沟道MOS管(Q1)的栅极与源极两端，第三偏置电阻(R6)一端接单片机的一个控制引脚，另一端经第一NPN型三极管(Q2)的基极、第二偏置电阻(R5)接P沟道MOS管(Q1)的栅极；
所述主供电电路包括第五偏置电阻(R8)、第六偏置电阻(R9)、双向瞬态抑制二极管(D2)、第二NPN型三极管(Q3)、继电器(K1)；第五偏置电阻(R8)一端接单片机的另一个控制引脚，另一端经第二NPN型三极管(Q3)接双向瞬态抑制二极管(D2)，继电器(K1)的线圈并接在双向瞬态抑制二极管(D2)两端，继电器(K1)的常开触点一端接用电设备，另一端接供电设备；
所述检测电路包括第一分压电阻(R2)、第二分压电阻(R3)，第一分压电阻(R2)一端接用电设备正极电压端，另一端分两路，一路经第二分压电阻(R3)接地，另一路接单片机的检测引脚。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
