[实用新型]硅光子芯片光功率测量装置及设备有效

专利信息
申请号: 202020002646.4 申请日: 2020-01-02
公开(公告)号: CN211236361U 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 田桂霞;洪小刚;陈奔;沈笑寒;郭倩 申请(专利权)人: 亨通洛克利科技有限公司
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42;G01J1/00
代理公司: 苏州睿昊知识产权代理事务所(普通合伙) 32277 代理人: 陈蜜
地址: 215200 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 光子 芯片 功率 测量 装置 设备
【权利要求书】:

1.一种硅光子芯片光功率测量装置,所述硅光子芯片上设有硅光波导,其特征在于:所述硅光子芯片光功率测量装置包括,

光反射部件,其配置于所述硅光波导出射光的传输路径上,所述硅光波导的出射光经所述光反射部件反射产生反射光;

光传导部件,其配置于所述反射光的传输路径上,用于轴向传输所述反射光至其端部输出;

光功率探测器,其用于接收所述光传导部件端部输出的反射光,并测量所述反射光的光功率。

2.如权利要求1所述的硅光子芯片光功率测量装置,其特征在于:所述光传导部件配置于所述硅光子芯片的光纤匹配槽内,且沿所述光纤匹配槽延伸方向的垂直方向延伸;所述光传导部件与光纤匹配槽接触的端部加工有反射面,所述反射面形成所述光反射部件;所述硅光波导的出射光进入光传导部件内经由所述反射面反射产生反射光,所述反射光在光传导部件内沿其轴向传输至另一端部输出。

3.如权利要求2所述的硅光子芯片光功率测量装置,其特征在于:所述光传导部件为玻璃棒或者光纤棒。

4.如权利要求2所述的硅光子芯片光功率测量装置,其特征在于:所述反射面与光纤匹配槽所在平面的夹角为45°±2.5°。

5.如权利要求2所述的硅光子芯片光功率测量装置,其特征在于:所述反射面通过反射层作用于所述硅光波导的出射光。

6.如权利要求5所述的硅光子芯片光功率测量装置,其特征在于:所述光传导部件位于其光传输段的外侧面设有所述反射层。

7.如权利要求2所述的硅光子芯片光功率测量装置,其特征在于:所述光传导部件的出光端面和位于其光入射段的外侧面均设有增透层。

8.如权利要求1所述的硅光子芯片光功率测量装置,其特征在于:所述光传导部件与硅光波导的出光面之间具有安全间隙,所述安全间隙为0~0.15mm。

9.一种晶圆级硅光子芯片光功率测量设备,所述晶圆具有阵列排布的多个硅光子芯片,其特征在于:其包括多组如权利要求1-8任一项所述的硅光子芯片光功率测量装置,所述多组硅光子芯片光功率测量装置一一对应的测量所述多个硅光子芯片的光功率。

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