[实用新型]碳化硅MOSFET半桥电路及并联的电路模块和功率板

权利要求书

1.一种碳化硅MOSFET半桥电路，其特征在于，包括高频续流旁路电容以及与所述高频续流旁路电容并联的半桥主电路；

所述半桥主电路包括串联的第一结构和第二结构；所述第一结构的输入端与直流母线的正极连接，所述第一结构的输出端与输出母线连接；所述第二结构的输入端与直流母线的负极连接，所述第二结构的输出端与输出母线连接；

所述第一结构包括第一SiC MOSFET器件、第一阻容吸收电路、第一压敏电阻，第一限流栅极电阻、第二限流栅极电阻、第一二极管以及第一解耦电容；所述第一SiC MOSFET器件形成所述第一结构的第一桥臂；

所述第一SiC MOSFET器件的漏极与所述直流母线的正极连接，所述第一SiC MOSFET器件的源极与所述输出母线连接；所述第一阻容吸收电路和所述第一压敏电阻均并联在所述第一桥臂上；所述第一限流栅极电阻和所述第二限流栅极电阻的一端均与所述第一SiCMOSFET器件的栅极连接，所述第一限流栅极电阻和所述第二限流栅极电阻的另一端均与第一驱动保护电路相连接；所述第一二极管的阴极接在所述第一SiC MOSFET器件的栅极上，所述第一二极管的阳极与所述第一驱动保护电路相连接；所述第一解耦电容并联在所述第一SiC MOSFET器件的栅极和源极上；所述第一SiC MOSFET器件的源极与所述第一驱动保护电路相连接；

所述第二结构包括第二SiC MOSFET器件、第二阻容吸收电路、第二压敏电阻，第三限流栅极电阻、第四限流栅极电阻、第二二极管以及第二解耦电容；所述第二SiC MOSFET器件形成所述第二结构的第二桥臂；

所述第二SiC MOSFET器件的漏极与所述输出母线连接，所述第二SiC MOSFET器件的源极与所述直流母线的负极连接；所述第二阻容吸收电路和所述第二压敏电阻均并联在所述第二桥臂上；所述第三限流栅极电阻和所述第四限流栅极电阻的一端均与所述第二SiCMOSFET器件的栅极连接，所述第三限流栅极电阻和所述第四限流栅极电阻的另一端均与第二驱动保护电路相连接；所述第二二极管的阴极接在所述第二SiC MOSFET器件的栅极上，所述第二二极管的阳极与所述第二驱动保护电路相连接；所述第二解耦电容并联在所述第二SiC MOSFET器件的栅极和源极上；所述第二SiC MOSFET器件的源极与所述第二驱动保护电路相连接。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET半桥电路，其特征在于，所述第一阻容吸收电路包括第一阻容吸收电阻和第一电容，所述第一阻容吸收电阻和所述第一电容串联后并联在所述第一桥臂上；所述第一阻容吸收电路用于吸收、限制开关过程中在第一桥臂两端形成的尖峰电压；

所述第二阻容吸收电路包括第二阻容吸收电阻和第二电容，所述第二阻容吸收电阻和所述第二电容串联后并联在所述第二桥臂上；所述第二阻容吸收电路用于吸收、限制开关过程中在第二桥臂两端形成的尖峰电压。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET半桥电路，其特征在于，所述高频续流旁路电容的一端与所述直流母线的正极连接，所述高频续流旁路电容的另一端与所述直流母线的负极连接；所述高频续流旁路电容由一只或多只并联的电容组成，或者所述高频续流旁路电容由多只串、并联的电容组成。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET半桥电路，其特征在于，所述第一限流栅极电阻和所述第二限流栅极电阻是所述第一SiC MOSFET器件的栅极驱动的限流电阻或是对所述第一SiC MOSFET器件工作状态的检测电阻；

所述第三限流栅极电阻和所述第四限流栅极电阻是所述第二SiC MOSFET器件的栅极驱动的限流电阻或是对所述第二SiC MOSFET器件工作状态的检测电阻。

5.一种碳化硅MOSFET并联的半桥电路模块，其特征在于，包括n个并联的如权利要求1所述的碳化硅MOSFET半桥电路；所述半桥电路模块中的每个所述碳化硅MOSFET半桥电路分别与第一驱动保护电路、第二驱动保护电路相连接。