[实用新型]一种半导体元器件封装用改良压模头有效
| 申请号： | 202020016214.9 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN211017027U | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 许伟波;林德辉 | 申请（专利权）人： | 广东金田半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 | 代理人： | 张黎 |
| 地址： | 515000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 元器件 封装 改良 压模头 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元器件封装用改良压模头，包括：模头底座(1)、模头本体(2)、内部导流槽(3)、外部导流槽(4)；
其特征在于，所述模头本体(2)形状为长方体形，并设置在所述模头底座(1)表面中央；所述外部导流槽(4)及所述内部导流槽(3)设置在所述模头本体(2)表面中央，所述内部导流槽(3)为两条相交的槽体，所述外部导流槽(4)外部形状为矩形，所述内部导流槽(3)位于所述外部导流槽(4)里侧，所述内部导流槽(3)与所述外部导流槽(4)四角相连通；
所述内部导流槽(3)四个方向分布的槽体截面宽度沿导流方向均匀变窄，所述内部导流槽(3)槽体截面最窄处的宽度大于所述外部导流槽(4)的槽体宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体元器件封装用改良压模头，其特征在于，所述外部导流槽(4)矩形边角处，两槽体侧壁构成倒圆角。
3.根据权利要求1所述的半导体元器件封装用改良压模头，其特征在于，所述内部导流槽(3)四个方向分布的槽体深度沿导流方向均匀变浅。
4.根据权利要求1所述的半导体元器件封装用改良压模头，其特征在于，所述内部导流槽(3)两槽体相交处的槽体侧壁为倒圆角。
5.根据权利要求1所述的半导体元器件封装用改良压模头，其特征在于，所述内部导流槽(3)的底面与两侧面相交处设为倒圆角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
