[实用新型]基于刚性框架的TMV扇出型封装结构有效

专利信息
申请号: 202020020691.2 申请日: 2020-01-06
公开(公告)号: CN211150550U 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 林挺宇;杜毅嵩;杨斌 申请(专利权)人: 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/485;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 广州鼎贤知识产权代理有限公司 44502 代理人: 刘莉梅
地址: 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 刚性 框架 tmv 扇出型 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种基于刚性框架的TMV扇出型封装结构,其特征在于,包括:

具有矩形结构的金属框架和位于所述金属框架的矩形框内的芯片组;

塑封层,包覆所述金属框架和所述芯片组,所述塑封层沿其厚度方向具有背向设置的第一面和第二面;

位于所述塑封层的第一面的第一电连接结构和与所述第一电连接结构电气连接的第一金属凸块;

位于所述塑封层的第二面的第二电连接结构和与所述第二电连接结构电气连接的第二金属凸块;

所述芯片组的I/O接口与所述第一电连接结构或所述第二电连接结构电气连接,所述金属框架的一端面与所述第一电连接结构电气连接,另一端面与所述第二电连接结构电气连接。

2.根据权利要求1所述的基于刚性框架的TMV扇出型封装结构,其特征在于,所述芯片组的I/O接口邻近所述第一面,且所述芯片组的I/O接口与所述第一电连接结构电气连接,所述第一电连接结构包括:

覆盖所述塑封层第一面的介电层,所述介电层具有使所述芯片组的I/O接口和所述金属框架的第一端面外露的第一孔位;

第一种子层,覆盖所述介电层和所述第一孔位的表面;

第一重布线层,位于所述第一种子层上,所述第一种子层和所述第一重布线层具有使部分所述介电层外露的第一图形窗口;

所述第一金属凸块与所述第一重布线层的焊盘区焊接。

3.根据权利要求2所述的基于刚性框架的TMV扇出型封装结构,其特征在于,还包括第一阻焊层,所述第一阻焊层覆盖所述第一重布线层的非焊盘区和外露于所述第一图形窗口的介电层表面。

4.根据权利要求2所述的基于刚性框架的TMV扇出型封装结构,其特征在于,所述第一重布线层为一层、两层或两层以上的多层结构。

5.根据权利要求2所述的基于刚性框架的TMV扇出型封装结构,其特征在于,所述塑封层的厚度大于所述芯片组的厚度,所述塑封层的第二面开设有供所述金属框架的部分第二端面外露的第二孔位,所述第二电连接结构延伸至所述第二孔位内与所述金属框架连接。

6.根据权利要求5所述的基于刚性框架的TMV扇出型封装结构,其特征在于,所述第二电连接结构包括:

第二种子层,覆盖所述塑封层的第二面和所述第二孔位的表面;

第二重布线层,位于所述第二种子层上,所述第二种子层和所述第二重布线层具有使部分所述塑封层的第二面外露的第二图形窗口;

所述第二金属凸块与所述第二重布线层的焊盘区焊接。

7.根据权利要求6所述的基于刚性框架的TMV扇出型封装结构,其特征在于,所述第二重布线层为一层、两层或两层以上的多层结构。

8.根据权利要求6所述的基于刚性框架的TMV扇出型封装结构,其特征在于,还包括第二阻焊层,所述第二阻焊层覆盖所述第二重布线层的非焊盘区和外露于所述第二图形窗口的所述塑封层的第二面。

9.根据权利要求1至8任一项所述的基于刚性框架的TMV扇出型封装结构,其特征在于,所述金属框架由两个横向金属网板和两个纵向金属网板组成。

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