[实用新型]检测装置有效

专利信息
申请号: 202020021023.1 申请日: 2020-01-06
公开(公告)号: CN212159609U 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 刘健鹏;张鹏斌;范铎;陈鲁 申请(专利权)人: 深圳中科飞测科技有限公司
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强
地址: 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 检测 装置
【说明书】:

本申请公开了一种检测装置,包括探测组件和多个光源,每个光源发出的光经过待测物待测表面后进入所述探测组件,所述多个光源的出光方向与所述探测组件的光线采集方向形成的角度互不相同,所述多个光源中存在至少两个光源的亮度和/或波长不同。采用本申请的检测装置可提升检测的准确性。

技术领域

本申请涉及光学技术领域,尤其涉及一种检测装置。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片。晶圆作为芯片的基底,如果晶圆上存在缺陷,将导致其制备而成的芯片失效,从而导致芯片的良率降低,制造成本增高,在芯片制备前以及芯片制备过程中均需对晶圆进行缺陷检测,因此晶圆缺陷检测装置是很有必要的。

实用新型内容

本申请实施例提供一种检测装置,用于提升检测的准确性。

本申请提供一种检测装置,包括探测组件和多个光源,每个光源发出的光经过待测物待测表面后进入所述探测组件,所述多个光源的出光方向与所述探测组件的光线采集方向形成的角度互不相同,所述多个光源中存在至少两个光源的亮度和/或波长不同。

一个实现中,所述多个光源包括多个暗场光源;所述暗场光源的出光方向、所述待测物待测表面法线、所述探测组件的光线采集方向不共面;或者,所述暗场光源的出光方向、所述待测物待测表面法线、所述探测组件的光线采集方向共面,且所述暗场光源发射光束的入射角与所述探测组件采集的光线出射角不相同;

所述多个暗场光源中存在至少两个暗场光源的亮度和/或波长不同。

一个实现中,所述多个暗场光源包括第一暗场光源和多个第二暗场光源,所述第一暗场光源发射光束的光轴、所述第二暗场光源发射光束的光轴和所述待测物待测表面法线共面设置,所述第一暗场光源发射光束的光轴平行于所述待测物待测表面法线,所述第二暗场光源发射光束的光轴与所述待测物待测表面法线具有锐角夹角。

一个实现中,所述多个第二暗场光源中存在至少两个第二暗场光源的亮度和/或波长不同。

一个实现中,所述多个第二暗场光源包括至少一个暗场光源组,每个所述暗场光源组包括两个所述第二暗场光源,每个所述暗场光源组包括的两个第二暗场光源的出光方向对称设置在所述法线的两侧。

一个实现中,每个所述暗场光源组包括的两个第二暗场光源的亮度和/或波长不同。

一个实现中,所述两个第二暗场光源中的其中一个第二暗场光源为LED光源,另一个第二暗场光源为光纤光源。

一个实现中,所述多个光源包括明场光源,所述明场光源的出光方向、所述待测物待测表面法线、所述探测组件的光线采集方向共面,且所述明场光源发射光束的入射角与所述探测组件采集的光线出射角相同,所述明场光源为LED光源。

一个实现中,所述第一暗场光源为光纤光源。

一个实现中,各光源发出的光在所述待测物待测区所在平面形成的光斑为条形光斑,各光斑均沿第一方向延伸;所述探测组件用于在所述待测物表面形成条形视场区,所述条形视场区沿所述第一方向延伸。

一个实现中,所述探测组件包括多个探测器,所述多个探测器的视场区沿所述第一方向排列;还包括驱动装置,用于驱动所述待测物沿第二方向移动,获取驱动所述探测组件和所述多个光源沿第二方向移动;所述第二方向与第一方向垂直或具有锐角夹角。

一个实现中,所述待测物为晶圆,所述待测面为晶圆背面。

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