[实用新型]一种防止旋转不平衡的石墨基座有效

专利信息
申请号: 202020026043.8 申请日: 2020-01-07
公开(公告)号: CN211570768U 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 蓝图;黄洪福 申请(专利权)人: 深圳市志橙半导体材料有限公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458
代理公司: 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 代理人: 黎健任
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 防止 旋转 不平衡 石墨 基座
【说明书】:

实用新型涉气相沉积领域,特别涉及一种防止旋转不平衡的石墨基座。其包括旋转基座、安装槽、与销钉配合连接的卡槽,安装槽设置在旋转基座的中心位置并从旋转基座的上表面向底部延伸,安装槽的外侧周围均匀凸出设置有多个卡槽,卡槽从旋转基座的上表面向底部延伸,卡槽与安装槽连通。本石墨基座解决由于旋转过程中由于石墨基座单边受力,容易引起石墨基座旋转不平衡,从而影响产品生产的稳定性的问题,能有效降低石墨基座旋转不平衡导致产品报废的概率,显著提高薄膜均匀性以及质量,并有效延长石墨基座的使用周期。

技术领域

本实用新型涉及气相沉积领域,特别涉及一种防止旋转不平衡的石墨基座。

背景技术

气相沉积的基本原理涉及反应化学、热力学、动力学、转移机理、膜生长现象和反应工程。主要以金属蒸汽、挥发性金属卤化物、氢化物或金属有机化合物等蒸汽为原料,进行气相热分解反应,以及两种以上单质或化合物的反应,再凝聚生成各种形态的材料。化学气相沉积工艺中,沉积薄膜的均匀性极为重要,薄膜的均匀性主要受到炉内气体分布的影响。化学气相沉积过程是一个极为复杂的化学过程,气体是否均匀分布会对工艺的沉积速率、膜层的致密性、薄膜均匀性等产生较大影响。通常来说化学气相沉积受气体流场等工艺因素影响均匀性难以保证,为了提高涂层均匀性一般采用石墨盘旋转工艺,可以达到稳定生产的目的。

现有技术中,石墨基座安装位上只有一个卡槽,由一个销钉带动石墨基座旋转,旋转过程中由于石墨基座单边受力,容易引起石墨基座旋转不平衡,从而影响产品生产的稳定性。

实用新型内容

本实用新型提供一种防止旋转不平衡的石墨基座,旨在解决石墨基座旋转不平衡导致产品生产不稳定的问题。

本实用新型提供一种防止旋转不平衡的石墨基座,包括旋转基座、安装槽,所述安装槽设置在旋转基座的中心位置并从旋转基座的上表面向底部延伸,还包括与销钉配合连接的卡槽,所述安装槽的外侧周围均匀凸出设置有多个卡槽,所述卡槽从旋转基座的上表面向底部延伸,所述卡槽与安装槽连通。多个卡槽的设置相比原有一个卡槽的设置,旋转受力更均匀,保证了在气相沉积时,产品的稳定。

作为本实用新型的进一步改进,所述安装槽的槽口为圆形,所述卡槽的轴心方向与安装槽槽口的圆周切线方向的夹角为0°~180°。只要能保证卡槽的受力,任意角度均可。

作为本实用新型的进一步改进,所述卡槽的轴心方向与安装槽槽口的圆周切线方向垂直。卡槽垂直设置有效地提供受力点,而且也利于多个卡槽的排列。

作为本实用新型的进一步改进,所述卡槽的深度小于安装槽的深度。此设计降低了设置卡槽时的成本,在保证卡槽受力的情况下减少掏空旋转基座的体积。

作为本实用新型的进一步改进,所述安装槽为两层,所述安装槽上端为圆柱形腔体,下端为底面与圆柱形底面重合的倒锥形腔体,所述卡槽与安装槽的上端连通。倒锥形的腔体也是便于配合连接旋转轴时,容易插入连接,上端圆柱形腔体连通卡槽,是便于旋转时销钉的受力。

作为本实用新型的进一步改进,所述卡槽槽口与旋转基座上表面的连接处设有倒角,所述倒角从卡槽槽口向安装槽槽口延伸。倒角的设置是便于销钉容易插入卡槽。

作为本实用新型的进一步改进,所述卡槽为沿旋转基座上表面垂直向下延伸的柱形腔体,所述卡槽的两个侧面互相平行并一端连通安装槽,所述两个侧面均与安装槽旋转圆周的切线垂直,所述两个侧面的另一端连接一个半圆性弧面。设置柱体腔体、侧面与切线垂直,便于销钉与卡槽在旋转时的受力,不易打滑。

作为本实用新型的进一步改进,所述卡槽的深度为2-20mm,所述卡槽沿安装槽旋转圆周切线方向的宽度为1-6mm。卡槽的尺寸根据旋转基座本体大小而定,只要不超出旋转基座的深度和宽度均可。

作为本实用新型的进一步改进,所述石墨基座均匀设有2-12个卡槽。卡槽数目的优选值为2-12个,卡槽绕圆周均匀分布,每两个卡槽之间的夹角相等,有效保证旋转时的平衡。

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