[实用新型]一种带抗干扰防误动作保护功能的剩余电流动作断路器有效

专利信息
申请号: 202020032567.8 申请日: 2020-01-08
公开(公告)号: CN211183372U 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 刘超 申请(专利权)人: 一开控股(青岛)有限公司
主分类号: H02H3/02 分类号: H02H3/02;H02H3/05;H02H3/32;H02H3/34;H02H9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266000 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 抗干扰 误动作 保护 功能 剩余 电流 动作 断路器
【权利要求书】:

1.一种带抗干扰防误动作保护功能的剩余电流动作断路器,包括浪涌保护电路、三相整流电路、可控硅电路、降压电路、滤波稳压电路、动作时间调节电路、漏电集成专用电路和漏电信号输入电路,其特征在于,所述的浪涌保护电路输入端和三相电源输入端连接,浪涌保护电路输出端和三相整流电路连接,三相整流电路和可控硅电路电连接,接脱扣器线圈M1和三相整流电路电连接,接脱扣器线圈M2和降压电路输入端连接,降压电路输出端连接滤波稳压电路,滤波稳压电路和漏电集成专用电路电连接,可控硅电路分别和动作时间调节电路、漏电集成专用电路电连接,动作时间调节电路和漏电集成专用电路电连接,漏电集成专用电路和漏电信号输入电路,漏电信号输入电路通过导线和零序互感器连接。

2.根据权利要求1所述的带抗干扰防误动作保护功能的剩余电流动作断路器,其特征在于,所述的浪涌保护电路包括压敏电阻RV1、压敏电阻RV2、压敏电阻RV3,压敏电阻RV1一端和三相电源输入端A连接,压敏电阻RV1另一端和三相电源输入端C连接,压敏电阻RV2一端和三相电源输入端A连接,压敏电阻RV2另一端和三相电源输入端B连接,压敏电阻RV3一端和三相电源输入端B连接,压敏电阻RV3另一端和三相电源输入端C连接。

3.根据权利要求1所述的带抗干扰防误动作保护功能的剩余电流动作断路器,其特征在于,所述的三相整流电路包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D11、二极管D12,三相电源输入端A和同时和二极管D11负极、二极管D10正极连接,三相电源输入端B和同时和二极管D4负极、二极管D5正极连接,三相电源输入端C和同时和二极管D1负极、二极管D8正极连接,二极管D10负极和二极管D9连接,二极管D11正极和二极管D12负极连接,二极管D11正极分别和二极管D3正极、二极管D2正极连接,二极管D3负极依次和二极管D4、二极管D5、二极管D6串联,二极管D2负极依次和二极管D1、二极管D8、二极管D7串联,接脱扣器线圈M1分别和二极管D9、二极管D6、二极管D7连接,二极管D2正极接地。

4.根据权利要求1所述的带抗干扰防误动作保护功能的剩余电流动作断路器,其特征在于,所述的可控硅电路包括压敏电阻RV4、可控硅SCR2和可控硅SCR1,可控硅SCR2和可控硅SCR1串联,接脱扣器线圈M2分别和可控硅SCR1、压敏电阻RV4一端连接,压敏电阻RV4另一端和二极管D2正极连接,二极管D2正极同时和可控硅SCR2连接,电容C6和可控硅SCR2并联。

5.根据权利要求1所述的带抗干扰防误动作保护功能的剩余电流动作断路器,其特征在于,所述的降压电路包括电阻R8、电阻R9、电阻R6、电阻R5、电阻R1、电阻R2、电阻R11、电阻R10、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15,接脱扣器线圈M2依次和电阻R8、电阻R6、电阻R1、电阻R11、电阻R12、电阻R14、二极管D14负极连接,电阻R9并联在电阻R8两端,电阻R5并联在电阻R6两端,电阻R2并联在电阻R1两端,电阻R10并联在电阻R11两端,电阻R13并联在电阻R12两端,电阻R15并联在电阻R14两端。

6.根据权利要求1所述的带抗干扰防误动作保护功能的剩余电流动作断路器,其特征在于,所述的滤波稳压电路包括二极管D14和电容C7,二极管D14正极接地,电容C7并联在二极管D14两端。

7.根据权利要求1所述的带抗干扰防误动作保护功能的剩余电流动作断路器,其特征在于,所述的动作时间调节电路包括电容C6-1和电容C6-2,电容C6-1和电容C6-2并联,电容C6-1一端和二极管D2正极连接,电容C6-1另一端和运算放大器U1引脚6连接。

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