[实用新型]一种基于太赫兹全金属超材料的微流传感芯片有效

专利信息
申请号: 202020038010.5 申请日: 2020-01-09
公开(公告)号: CN211669074U 公开(公告)日: 2020-10-13
发明(设计)人: 王钢棋;郎婷婷 申请(专利权)人: 中国计量大学
主分类号: G01N21/41 分类号: G01N21/41;B01L3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 赫兹 全金属 材料 流传 芯片
【权利要求书】:

1.一种基于太赫兹全金属超材料的微流传感芯片,其特征在于:包括全金属超材料层(1)、微流通道(2);

所述全金属超材料层(1)表面加工若干个成周期排布的镂空图案,所述镂空图案作为传感器单元使用;

所述微流通道(2)包括微流通道液体入口(4)、微流通道中间部分(3)和微流通道液体出口(5),所述微流通道中间部分(3)的一端与所述微流通道液体入口(4)连接,所述微流通道中间部分(3)的另一端与所述微流通道液体出口(5)连接,并且三者形成一个物理上连通的整体;

所述微流通道(2)附着在所述全金属超材料层(1)表面上并且覆盖所述镂空图案。

2.根据权利要求1所述的基于太赫兹全金属超材料的微流传感芯片,其特征在于:所述全金属超材料层(1)材料为不锈钢,所述镂空图案成周期排布。

3.根据权利要求1所述的基于太赫兹全金属超材料的微流传感芯片,其特征在于:所述镂空图案为一个正方形单元加一个长方形单元再加一个正方形单元形成的镂空哑铃图案。

4.根据权利要求1所述的基于太赫兹全金属超材料的微流传感芯片,其特征在于:所述微流通道(2)由聚二甲基硅氧烷材料PDMS采用软刻蚀技术制成。

5.根据权利要求1所述的基于太赫兹全金属超材料的微流传感芯片,其特征在于:所述微流通道液体入口(4)与所述微流通道液体出口(5)通过冲洗工艺制成。

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