[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 202020051084.2 | 申请日: | 2020-01-10 |
公开(公告)号: | CN211404461U | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 木村裕二;甲斐义广 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置包括:
处理槽,其通过使排列的多个基板浸渍于处理液而对该多个基板进行处理;以及
流体供给部,其在所述处理槽的内部配置于比所述多个基板靠下方的位置,通过喷出流体从而在所述处理槽的内部产生所述处理液的液流,
所述流体供给部具有向在所述多个基板的排列方向上的不同的区域喷出所述流体的多个喷出路径。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述流体供给部供给气体作为所述流体。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述流体供给部包括在与所述多个基板的排列方向正交的方向上与所述多个喷出路径排列地配置并喷出所述流体的其他的喷出路径,
所述多个喷出路径与所述其他的喷出路径相比内径较小。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述流体供给部包括喷出板,该喷出板设有彼此划分出的多个喷出区域,
所述多个喷出区域各自具有多个喷出口,并与所述多个喷出路径中的对应的喷出路径连接。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置包括使所述多个喷出路径移动的移动机构。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述流体供给部包括朝向所述处理槽的内壁喷出所述流体的喷出口。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述流体供给部包括安装所述喷出路径的安装板,
所述安装板具有多个安装孔,能够相对于所述多个安装孔中的任意的安装孔安装所述喷出路径。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置还包括:
控制部,其控制自所述流体供给部喷出的所述流体的喷出时间和喷出流量中的至少一者。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置包括使所述多个喷出路径移动的移动机构,
所述控制部通过在使所述多个基板浸渍于所述处理槽并自所述多个喷出路径喷出所述流体的状态下控制所述移动机构而使所述多个喷出路径移动,从而变更所述多个喷出路径的喷出位置。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,
所述移动机构使所述多个喷出路径沿着所述多个基板的排列方向移动。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制部以小于所述多个基板之间的距离的行程使所述多个喷出路径移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造