[实用新型]非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置有效
| 申请号： | 202020057782.3 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN211256073U | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 田广科;田世宇;张海军 | 申请（专利权）人： | 兰州广合新材料科技有限公司;兰州交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/32;C23C14/16;C23C14/06 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 任凯 |
| 地址： | 730000 甘肃省兰州*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超高 真空 环境 离子 镀膜 制备 低氧 含量 氧化 薄膜 装置 | ||
【权利要求书】：
1.非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置，在离子镀膜的镀膜腔室中，镀膜靶源对向基片台，其特征在于，镀膜腔室中设有辅助靶源和遮挡板，所述遮挡板设置在镀膜靶源与辅助靶源之间，所述遮挡板将辅助靶源的工作区域与镀膜靶源及基片台的工作区域予以隔离。
2.根据权利要求1所述的非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置，其特征在于，所述辅助靶源的靶材为钛、铝或锆。
3.根据权利要求1所述的非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置，其特征在于，所述辅助靶源的数量为一个或多个。
4.根据权利要求1所述的非超高真空环境离子镀膜制备低氧含量易氧化薄膜的装置，其特征在于，所述镀膜靶源的靶材为金属或非金属。
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