[实用新型]一种具有半桥变换初级保护功能的充电器有效

专利信息
申请号: 202020057878.X 申请日: 2020-01-10
公开(公告)号: CN211508687U 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 王华春 申请(专利权)人: 东莞市亿源创力科技有限公司
主分类号: H02J7/02 分类号: H02J7/02;H02M1/32;H02M3/335
代理公司: 东莞市科凯伟成知识产权代理有限公司 44627 代理人: 贾培军
地址: 523000 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 变换 初级 保护 功能 充电器
【权利要求书】:

1.一种具有半桥变换初级保护功能的充电器,包括

市电转换电路,所述市电转换电路用于将市电转换为高压直流电;

半桥变换器,所述半桥变换器用于将高压直流电转换为低压直流电;其特征在于,

所述半桥变换器包括半桥功率电路、半桥主控电路和半桥保护电路;其中,

所述半桥功率电路的一端与所述市电转换电路连接,所述半桥功率电路的另一端连接负载,所述半桥功率电路用于给负载提供低压直流电以给负载充电;

所述半桥主控电路与所述半桥功率电路连接;

所述半桥保护电路的两端分别连接所述半桥主控电路和所述半桥功率电路,所述半桥保护电路用于检测所述半桥功率电路的电压信息并发送至所述半桥主控电路,所述半桥主控电路根据所述电压信息降低输出至所述半桥功率电路的电压。

2.根据权利要求1所述的具有半桥变换初级保护功能的充电器,其特征在于,所述半桥功率电路包括第五MOS管、第八MOS管、第一电阻、第二电阻和第一变压器,所述第五MOS管和所述第八MOS管的栅极均与所述半桥主控电路连接,所述第五MOS管的源极和所述第八MOS管的漏极均与所述第一变压器的初级绕组连接,所述第五MOS管的漏极与所述市电转换电路的输出端连接,所述第八MOS管的源极接地,所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端均与所述第八MOS管的源极连接,所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端还均与所述半桥保护电路连接,所述第一电阻的另一端和所述第二电阻的另一端均接地,所述第一变压器的次级绕组连接负载。

3.根据权利要求2所述的具有半桥变换初级保护功能的充电器,其特征在于,所述半桥主控电路包括半桥主控芯片,所述半桥主控芯片的第十五引脚与所述第五MOS管的栅极连接,所述半桥主控芯片的第十一引脚与所述第八MOS管的栅极连接,所述半桥主控芯片还与所述半桥保护电路连接。

4.根据权利要求3所述的具有半桥变换初级保护功能的充电器,其特征在于,所述半桥保护电路包括电压比较器,所述电压比较器的第三引脚与所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端连接,所述电压比较器的第七引脚与所述半桥主控芯片的第三引脚连接。

5.根据权利要求1-4任一项所述的具有半桥变换初级保护功能的充电器,其特征在于,所述市电转换电路包括第一输入电路、第二输入电路和功率因素校正电路,所述第一输入电路和所述第二输入电路的输入端均连接市电,所述第一输入电路和所述第二输入电路的输出端均与所述功率因素校正电路连接,所述功率因素校正电路还与所述半桥功率电路连接。

6.根据权利要求5所述的具有半桥变换初级保护功能的充电器,其特征在于,还包括市电输入保护电路,所述市电输入保护电路包括辅助电源电路、主控电路、输入开关电路和市电检测电路;所述辅助电源电路与所述功率因素校正电路连接,所述主控电路与所述辅助电源电路连接,所述输入开关电路与所述主控电路连接,所述输入开关电路还与所述第一输入电路连接,所述市电检测电路的输入端与市电连接,所述市电检测电路的输出端与所述主控电路连接。

7.根据权利要求6所述的具有半桥变换初级保护功能的充电器,其特征在于,所述市电检测电路包括市电频率相位检测电路和市电峰值检测电路,所述市电频率相位检测电路的输入端与市电连接,所述市电频率相位检测电路的输出端与所述主控电路连接,所述市电峰值检测电路的输入端与所述市电频率相位检测电路连接,所述市电峰值检测电路的输出端与所述主控电路连接。

8.根据权利要求6所述的具有半桥变换初级保护功能的充电器,其特征在于,还包括负载输出保护电路,所述负载输出保护电路包括输出开关电路、充电电流反馈电路和充电电压反馈电路;所述输出开关电路与所述主控电路连接,所述输出开关电路还与所述半桥功率电路的输出端连接,所述半桥功率电路的输出端还与所述充电电流反馈电路和所述充电电压反馈电路的输入端连接,所述充电电流反馈电路和所述充电电压反馈电路的第一输出端均与所述主控电路连接,所述充电电流反馈电路和所述充电电压反馈电路的第二输出端均与所述半桥主控电路连接。

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