[实用新型]一种钝化镀膜系统

说明书

本实用新型涉及一种钝化镀膜系统，属于太阳能电池制造技术领域，解决了现有系统钝化镀膜时间长、钝化仓和PECVD工艺仓温差大，易于出现碎片的问题。本实用新型的钝化镀膜系统包括进料仓、抗PID装置、PECVD工艺仓和出料仓；抗PID装置包括气瓶、诱导装置和钝化仓；诱导装置能够在常温下诱发O₂产生O₃；钝化仓、PECVD工艺仓和出料仓的仓门上均设有位置传感器，用于实现各个仓门的自动开启和关闭。本实用新型实现了常温下形成SiO₂钝化膜。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种钝化镀膜系统。

背景技术

目前电池端的抗PID技术主要集中在二氧化硅/氮化硅叠层技术上，这种复合膜的抗PID性能已经得到行业的高度认可。在二氧化硅/氮化硅叠层的制备上，二氧化硅层是重点，其直接影响到组件的抗PID性能，电池外观和转换效率。

二氧化硅层的制备有三种方法：一种是利用PECVD技术，对N₂O/SiH₄电离沉积出二氧化硅层，但这种技术的二氧化硅层致密性差，对石墨舟和炉管损伤严重，还会降低电池的转换效率；第二种是在去PSG设备中增加臭氧氧化装置，对硅片表面进行氧化，形成二氧化硅层，这种技术成本低，工艺简单；第三种是热氧法沉积二氧化硅，热氧法沉积二氧化硅薄膜的效果较好，但是一般需要高温下(600℃～1100℃)进行30min～60min，这样长时间的高温处理会引起少数载流子寿命的降低、磷的再次分布、金属杂质的扩散等问题，这些都将影响太阳能电池的转换效率。同时，目前市场上均要求电池片具有抗PID的性能，现在普遍的做法是在刻蚀后，再用单独的抗PID机台沉积氧化层，单独的抗PID设备不光会提高电池制造成本，同时也会降低电池片生产效率，并且独立抗PID设备完成钝化室(SiO₂)沉积后，很难避免和空气再次接触，再次接触空气，容易吸附空气中的水分，降低膜的质量。

实用新型内容

鉴于上述的分析，本实用新型旨在提供一种钝化镀膜系统，至少能够解决以下技术问题之一：(1)现有钝化镀膜系统沉积SiO₂钝化膜需要在600～1100℃的高温下进行，能耗高，钝化镀膜时间长；(2)钝化仓和PECVD工艺仓温差大，硅片从钝化仓进入PECVD工艺仓由于内部热应力，导致易于出现碎片；(3)独立抗PID设备需要单独购置，提高电池制造成本、电池片生产效率低；(4)独立抗PID设备完成钝化室(SiO₂)沉积后，膜再次接触空气，容易吸附空气中的水分，降低膜质量的问题。

本实用新型的目的主要是通过以下技术方案实现的：

本实用新型提供了一种钝化镀膜系统，沿着物料传输方向包括进料仓、用于沉积钝化膜的抗PID装置、PECVD工艺仓和出料仓；所述抗PID装置包括用于提供O₂或压缩空气的气瓶、用于诱发O₂产生O₃的诱导装置和钝化仓；所述诱导装置设于所述钝化仓内，能够在常温下诱发O₂产生O₃。

在上述方案的基础上，本实用新型还做了如下改进：

在一种可能的设计中，所述PECVD工艺仓包括加热区、成膜工艺区和降温区。

在一种可能的设计中，所述加热区内设有电阻丝加热器。

在一种可能的设计中，所述进料仓、所述钝化仓、所述PECVD工艺仓和所述出料仓的仓门上均设有仓门密封圈。

在一种可能的设计中，所述进料仓、所述钝化仓、所述PECVD工艺仓和所述出料仓的仓门上均设有位置传感器，用于实现各个仓门的自动开启和关闭。

在一种可能的设计中，所述诱导装置包括紫外灯。

在一种可能的设计中，所述进料仓内设有红外加热器，用于预热物料。