[实用新型]同步整流控制器

说明书

一种同步整流控制器，包含有变压器及同步整流开关，该同步整流控制器包含有：驱动引脚，耦合至该同步整流开关，该同步整流控制器通过驱动引脚，控制次级侧线圈与电源线之间的电性连接；高压充电引脚，耦合至次级侧线圈与同步整流开关之间的接点；及高压半导体元件，其特征在于，高压充电引脚电连接至阳极，基体可电连接至操作电源电容；通过高压半导体元件，该同步整流控制器可对操作电源电容充电。高压半导体元件包含金属氧化物半导体晶体管及具有一金属层的肖特基二极管。该金属氧化物半导体晶体管的半导体基底为第一类型，其基体形成于该深井上。第二类型的深井形成于半导体基底上，其重掺杂源设于基体上，且与基体电性上相短路。

本申请是申请日为2019年10月16日、申请号为201921738440.1、发明名称为“可阻挡逆电流的金属氧化物半导体晶体管”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本实用新型大致涉及耐高压的金属氧化物半导体晶体管，尤其涉及整合有一肖特基二极管的金属氧化物半导体晶体管，可以阻挡逆电流。

背景技术

高压MOSFET是一种半导体元件，一般是指可以耐受超过5V以上的漏源极跨压(drain-to-source voltage)的一MOSFET。应用上，可以用来切换负载，或是用于电源管理上的在不同电压电平间的转换，或是做为高功率放大器中的功率元件。

基于规格要求，高压MOSFET需要具备有相当高的漏源极跨压的击穿电压。此外，往往因为应用上的不同，高压MOSFET更需要有一些特别的规格。举例来说，有的高压MOSFET需要有低的栅极至源极电容(gate-to-source capacitance)，可以适用于高速切换。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种同步整流控制器，为集成电路，适用于电源供应器(power supply)，其包含有变压器以及同步整流开关，该变压器包含有初级侧线圈以及次级侧线圈，彼此相电感耦合，该同步整流开关与该次级侧线圈相串联，该同步整流控制器包含有：驱动引脚，耦合至该同步整流开关，该同步整流控制器通过该驱动引脚，控制该次级侧线圈与电源线之间的电性连接；高压充电引脚，耦合至该次级侧线圈与该同步整流开关之间的接点；以及高压半导体元件，其特征在于，该高压充电引脚电连接至该阳极，该基体可电连接至操作电源电容；通过该高压半导体元件，该同步整流控制器可对该操作电源电容充电。其特征在于，该高压半导体元件，包含有一金属氧化物半导体晶体管以及一肖特基二极管。该金属氧化物半导体晶体管的一半导体基底为一第一类型。一第二类型的一深井形成于该半导体基底上。该第一类型的一基体形成于该深井上。该第二类型的一重掺杂源设于该基体上，且该重掺杂源与该基体电性上相短路。该肖特基二极管具有一金属层，作为该肖特基二极管的一阳极，形成于该深井上。该金属层与该深井形成一肖特基接面。

附图说明

图1显示依据本实用新型所实施的同步整流控制器12。

图2A的上半部显示高压半导体元件100a的俯视图，而下半部显示沿着俯视图中的AA线，高压半导体元件100a的剖面图。

图2B上半部也一样显示高压半导体元件100a的俯视图，但下半部显示沿着俯视图中的BB线，高压半导体元件100a的剖面图。

图3显示依据本实用新型所实施的电源供应器10。

图4显示图3中，初级侧的信号S_FLBK与次级侧的信号V_HVR的信号波形。

图5的上半部显示高压半导体元件100b的俯视图，而下半部显示沿着俯视图中的CC线，高压半导体元件100b的剖面图。

图6显示高压半导体元件100c的剖面图。

【符号说明】

10 电源供应器

12 同步整流控制器