[实用新型]垂直芯片表面发射激光器及其一维和二维阵列有效
| 申请号： | 202020081085.1 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN211719953U | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 朱颂义;王元立 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/42;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 李星宇;郑建晖 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 芯片 表面 发射 激光器 其一 维和 二维 阵列 | ||
1.一种垂直芯片表面发射激光器，其特征在于，所述垂直芯片表面发射激光器包括：
基片，所述基片具有承置面和与所述承置面成45度角的反射面；以及
边发射激光器芯片，布置在所述基片的承置面上；
其中，所述边发射激光器芯片被定位成所述边发射激光器芯片的发射端朝向所述反射面且所述发射端发射出平行于所述承置面的激光束，所述激光束的方向与所述承置面和所述反射面的交线垂直。
2.根据权利要求1所述的垂直芯片表面发射激光器，其特征在于，所述基片的反射面是镀金反射镜面。
3.根据权利要求1或2所述的垂直芯片表面发射激光器，其特征在于，在所述承置面上设置有导电层。
4.根据权利要求3所述的垂直芯片表面发射激光器，其特征在于，所述导电层是镀金层，并且所述基片是硅基散热片。
5.根据权利要求3所述的垂直芯片表面发射激光器，其特征在于，所述基片具有背离所述承置面的背面以及提供所述承置面和所述背面之间的电连接的通孔，并且所述导电层设置有与所述通孔键合的焊点。
6.根据权利要求3所述的垂直芯片表面发射激光器，其特征在于，所述边发射激光器芯片的N电极与所述导电层键合接触。
7.根据权利要求3所述的垂直芯片表面发射激光器，其特征在于，所述边发射激光器芯片的P电极与所述导电层键合接触。
8.根据权利要求1或2所述的垂直芯片表面发射激光器，其特征在于，所述边发射激光器芯片是单颗芯片功率大于1mW的边发射激光器芯片。
9.根据权利要求8所述的垂直芯片表面发射激光器，其特征在于，所述边发射激光器芯片是单颗芯片功率大于10mW的边发射激光器芯片。
10.根据权利要求1或2所述的垂直芯片表面发射激光器，其特征在于，所述边发射激光器芯片是发出的激光波长超过1微米的边发射激光器芯片。
11.根据权利要求10所述的垂直芯片表面发射激光器，其特征在于，所述边发射激光器芯片是发出的激光波长为1.31微米或1.55微米边发射激光器芯片。
12.一种垂直芯片表面发射激光器的一维阵列，其特征在于，所述一维阵列包括：
基片，所述基片具有承置面和与所述承置面成45度角的反射面；以及
边发射激光器芯片的线性阵列，布置在所述基片的承置面上；
其中，所述线性阵列的边发射激光器芯片被定位成每个边发射激光器芯片的发射端朝向所述反射面且所述发射端发射出平行于所述承置面的激光束，所述激光束的方向与所述承置面和所述反射面的交线垂直。
13.根据权利要求12所述的垂直芯片表面发射激光器的一维阵列，其特征在于，所述基片的反射面是镀金反射镜面。
14.根据权利要求12或13所述的垂直芯片表面发射激光器的一维阵列，其特征在于，在所述承置面上设置有导电层。
15.根据权利要求14所述的垂直芯片表面发射激光器的一维阵列，其特征在于，所述导电层是镀金层，并且所述基片是硅基散热片。
16.根据权利要求14所述的垂直芯片表面发射激光器的一维阵列，其特征在于，所述基片具有背离所述承置面的背面以及一个或多个通孔，所述一个或多个通孔提供所述承置面和所述背面之间的电连接，并且所述导电层设置有与所述一个或多个通孔键合的焊点。
17.根据权利要求14所述的垂直芯片表面发射激光器的一维阵列，其特征在于，所述线性阵列的边发射激光器芯片的N电极与所述导电层键合接触。
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