[实用新型]负阻抗电路和电子设备

权利要求书

1.一种负阻抗电路，其特征在于，包括：

差分电路级，具有第一输入、第二输入和输出；

从所述差分电路级的所述输出到所述差分电路级的所述第一输入的正反馈路径；和

从所述差分电路级的所述输出到所述差分电路级的所述第二输入的负反馈路径，其中：

所述负反馈路径包括第一晶体管，和从所述差分电路级的所述输出到所述差分电路级的所述第二输入的单位增益路径，所述单位增益路径经由参考阻抗被耦合至地，

所述正反馈路径包括第二晶体管，

所述第一晶体管和所述第二晶体管具有被配置为由所述差分电路级的所述输出驱动的相应控制电极，所述第一晶体管和所述第二晶体管以电流镜布置被耦合，以及

所述负阻抗电路被配置为在所述差分电路级的所述第一输入处引起负阻抗。

2.根据权利要求1所述的负阻抗电路，其特征在于，还包括从所述差分电路级的所述输出到所述差分电路级的所述第一输入的第二正反馈路径。

3.根据权利要求2所述的负阻抗电路，其特征在于，所述差分电路级包括差分输入级，所述差分输入级具有耦合至所述第一晶体管的控制端子的第一输出，并且具有耦合至第三晶体管的控制端子的第二输出，所述第三晶体管具有耦合在所述第一晶体管的电流路径与地之间的电流路径。

4.根据权利要求3所述的负阻抗电路，其特征在于，还包括第四晶体管，所述第四晶体管具有被耦合至所述第三晶体管的所述控制端子的控制端子，并且具有耦合在所述第二晶体管的电流路径与地之间的电流路径。

5.根据权利要求4所述的负阻抗电路，其特征在于，所述差分输入级包括：

第五晶体管，具有耦合至第一中间节点的控制端子，所述第一中间节点被耦合在所述第二晶体管和所述第四晶体管的电流路径之间；

第六晶体管，具有耦合至第二中间节点的控制端子，所述第二中间节点被耦合在所述第一晶体管和所述第三晶体管的电流路径之间；以及

第一电流源，被耦合在所述第五晶体管和所述第六晶体管与地之间。

6.根据权利要求5所述的负阻抗电路，其特征在于，所述差分电路级还包括：

第七晶体管，具有耦合至所述第六晶体管的控制端子；和

第八晶体管，具有耦合在所述第七晶体管的电流路径与地之间的电流路径，并且具有耦合至所述第三晶体管的所述控制端子的控制端子。

7.根据权利要求1所述的负阻抗电路，其特征在于，所述参考阻抗包括电容性阻抗，并且其中所述负阻抗包括负电容性阻抗。

8.根据权利要求1所述的负阻抗电路，其特征在于，所述电流镜布置具有从所述第一晶体管到所述第二晶体管的电流增益M，其中M大于1。

9.根据权利要求1所述的负阻抗电路，其特征在于：

所述差分电路级包括差分输入级，所述差分输入级具有第一输入节点、第二输入节点、第一输出节点和第二输出节点；

所述正反馈路径从所述差分输入级的所述第一输出节点到所述第一输入节点而被提供；

第二正反馈路径从所述差分输入级的所述第二输出节点到所述第一输入节点而被提供；

所述负反馈路径经由一对第一晶体管中的相应第一晶体管，从耦合至所述差分输入级的所述第一输出节点和所述第二输出节点的反馈节点被提供至所述差分输入级的所述第二输入节点；

所述正反馈路径和所述第二正反馈路径包括一对第二晶体管中的相应第二晶体管；

所述一对第一晶体管中的所述第一晶体管中的每个第一晶体管以电流镜布置被耦合至所述一对第二晶体管中的所述第二晶体管中的相应第二晶体管；以及

所述负阻抗在所述差分电路级的所述第一输入节点处可用。

10.根据权利要求1所述的负阻抗电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管包括金属-氧化物-半导体场效应晶体管。