[实用新型]GGNMOS器件、多指GGNMOS器件及保护电路有效
| 申请号： | 202020091178.2 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN211350658U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈萧静;张薇;储小玲;朱恒宇 | 申请（专利权）人： | 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L27/088;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 101111 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ggnmos 器件 多指 保护 电路 | ||
1.一种GGNMOS器件，其特征在于，包括：
衬底；
形成于衬底中的源极和漏极，所述源极包括第一源极和第二源极，所述漏极位于所述第一源极与所述第二源极之间；
形成于衬底上的栅极，所述栅极包括第一栅极、第二栅极和第三栅极；
其中，
所述第三栅极包括沿第一方向延伸的第一部和第二部，以及沿第二方向延伸的第三部和第四部，所述第三部和所述第四部均位于第一部与第二部之间且两端分别连接第一部和第二部，以将所述第一部与所述第二部之间的区域限定为第一区域、第二区域、以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域；
所述第一栅极位于所述第一区域，且所述第一栅极在衬底上的正投影部分或全部围绕所述第一源极在衬底上的正投影；
所述第二栅极位于所述第二区域，且所述第二栅极在衬底上的正投影部分或全部围绕所述第二源极在衬底上的正投影。
2.根据权利要求1所述的GGNMOS器件，其特征在于，
所述第一栅极包括沿第一方向延伸的第一部和第二部，以及连接第一部和第二部、并沿第二方向延伸的第三部；
所述第二栅极包括沿第一方向延伸的第一部和第二部，以及连接第一部和第二部、并沿第二方向延伸的第三部。
3.根据权利要求2所述的GGNMOS器件，其特征在于，所述第一栅极和第二栅极在衬底上的正投影均呈U型，且两个U型的开口相背。
4.根据权利要求2所述的GGNMOS器件，其特征在于，所述第一方向垂直于第二方向。
5.根据权利要求2-4任一项所述的GGNMOS器件，其特征在于，
沿背离所述第二栅极的方向，所述第三栅极的第一部的端部超出或齐平于所述第一栅极的第一部的端部，所述第三栅极的第二部的端部超出或齐平于所述第一栅极的第二部的端部；
沿背离所述第一栅极的方向，所述第三栅极的第一部的端部超出或齐平于所述第二栅极的第一部的端部，所述第三栅极的第二部的端部超出或齐平于所述第二栅极的第二部的端部。
6.根据权利要求1-4任一项所述的GGNMOS器件，其特征在于，所述栅极为多晶硅栅极。
7.一种多指GGNMOS器件，其特征在于，包括：多个如权利要求1至6中任一项所述的GGNMOS器件，其中所述多个GGNMOS器件并联连接。
8.根据权利要求7所述的多指GGNMOS器件，其特征在于，所述多个GGNMOS器件中各自的所述栅极、所述源极和所述漏极分别对应连接。
9.一种ESD保护电路，其特征在于，包括至少一个如权利要求1至6中任一项所述的GGNMOS器件。
10.根据权利要求9所述的ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护电路包括多个GGNMOS器件，其中所述多个GGNMOS器件并联连接。
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