[实用新型]一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管有效
| 申请号： | 202020095126.2 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN210956681U | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王连来 | 申请（专利权）人： | 广州市晶泰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州越华专利代理事务所(普通合伙) 44523 | 代理人： | 陈岑 |
| 地址： | 511450 广东省广州市番禺区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有隐埋门极 大功率 gto 晶闸管 | ||
1.一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述大功率GTO晶闸管从下往上依次包括阳极、第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体层、阴极，所述第二P型半导体层中设有多个间隔相同的隐埋门极和门栅极。
2.根据权利要求1所述的有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述隐埋门极的横截面为圆形。
3.根据权利要求2所述的有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述隐埋门极的直径为第二P型半导体层的厚度的60%~80%。
4.根据权利要求3所述的有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述隐埋门极的直径为第二P型半导体层的厚度的70%。
5.根据权利要求1所述的有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：相邻两个所述隐埋门极之间的间隔距离大于所述隐埋门极的直径。
6.根据权利要求1所述的有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述隐埋门极的顶端与第二N型半导体层底端之间的距离等于所述隐埋门极的底端与第二N型半导体层顶端之间的距离。
7.根据权利要求1所述的有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述门栅极的横截面为圆形。
8.根据权利要求1所述的有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述门栅极与相邻的隐埋门极之间的间隔距离大于所述门栅极的直径。
9.根据权利要求1所述的有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述门栅极的顶端与第二N型半导体层底端之间的距离等于所述门栅极的底端与第二N型半导体层顶端之间的距离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州市晶泰电子科技有限公司，未经广州市晶泰电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020095126.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种河道断面测绘装置
- 下一篇：一种弱电保护装置
- 同类专利
- 专利分类
