[实用新型]一种大功率GTO晶闸管有效
| 申请号： | 202020095162.9 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN210956683U | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王连来 | 申请（专利权）人： | 广州市晶泰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/10 |
| 代理公司： | 广州越华专利代理事务所(普通合伙) 44523 | 代理人： | 陈岑 |
| 地址： | 511450 广东省广州市番禺区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 gto 晶闸管 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率GTO晶闸管，包括PNPN四层三极的晶闸管芯片，其特征在于：所述晶闸管芯片的底部设有阳极发射区，所述晶闸管芯片的顶部设有阴极发射区和门极，所述阴极发射区包括用深扩散法得到的阴极发射区A区、在开通期和导通期用浅扩散法得到的阴极发射区B区，所述阴极发射区A区与阴极发射区B区交替排布。
2.根据权利要求1所述的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述阴极发射区B区的宽度为阴极发射区A区的宽度的50%~80%。
3.根据权利要求2所述的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述阴极发射区B区的宽度为阴极发射区A区的宽度的70%。
4.根据权利要求1所述的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述阴极发射区B区的厚度为阴极发射区A区的厚度的70%~90%。
5.根据权利要求4所述的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述阴极发射区B区的厚度为阴极发射区A区的厚度的80%。
6.根据权利要求1所述的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述阴极发射区A区的P基区电阻高于阴极发射区B区的P基区电阻。
7.根据权利要求1所述的大功率GTO晶闸管，其特征在于：所述阴极发射区上安装有阴极片。
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