[实用新型]集成电路的静电保护电路有效
申请号: | 202020103507.0 | 申请日: | 2020-01-17 |
公开(公告)号: | CN211350644U | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 丁苗富 | 申请(专利权)人: | 上海麓慧科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;张冉 |
地址: | 201612 上海市松江区漕河泾开*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 静电 保护 电路 | ||
1.一种集成电路的静电保护电路,所述集成电路包括保护点,其特征在于,所述静电保护电路包括正向触发电路和反向触发电路;
所述正向触发电路包括钳位三极管;
所述反向触发电路包括至少一个二极管电路;所述二极管电路包括阴极端和阳极端;
所述钳位三极管的集电极与所述保护点电连接,所述钳位三极管的基极与所述阴极端电连接,所述钳位三极管的发射极和所述阳极端接地。
2.如权利要求1所述的集成电路的静电保护电路,其特征在于,所述反向触发电路包括一个所述二极管电路,所述二极管电路包括一个二极管;所述二极管的阴极为所述阴极端,所述二极管的阳极为所述阳极端。
3.如权利要求1所述的集成电路的静电保护电路,其特征在于,所述反向触发电路包括多个所述二极管电路,每个所述二极管电路包括一个二极管;多个所述二极管按照阴极的方向一致的方式串联,串联后的多个所述二极管的阴极朝向的一端为所述阴极端,串联后的多个所述二极管的阳极朝向的一端为所述阳极端。
4.如权利要求2或3所述的集成电路的静电保护电路,其特征在于,所述二极管采用三极管实现。
5.如权利要求4所述的集成电路的静电保护电路,其特征在于,所述采用三极管实现为将所述反向触发电路的三极管的基极和集电极电连接作为所述二极管的阴极,将所述反向触发电路的三极管的发射极作为所述二极管的阳极。
6.如权利要求1所述的集成电路的静电保护电路,其特征在于,所述钳位三极管为NPN型三极管。
7.如权利要求1所述的集成电路的静电保护电路,其特征在于,所述集成电路为射频集成电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的