[实用新型]非对称面积石墨烯金属异质结光电探测器

权利要求书

1.一种非对称面积石墨烯金属异质结光电探测器，其特征在于，

包括硅衬底、二氧化硅层、三氧化二铝钝化层、高功函电极、低功函电极和石墨烯层，所述二氧化硅层位于所述硅衬底的上方，所述高功函电极和所述低功函电极均位于所述二氧化硅层远离所述硅衬底的一侧，所述高功函电极和所述低功函电极之间具有间隙，所述石墨烯层位于所述高功函电极和所述低功函电极远离所述二氧化硅层的一侧，且覆盖所述间隙，所述三氧化二铝钝化层覆盖在所述石墨烯层上，所述高功函电极与所述石墨烯层的接触面积大于所述低功函电极与所述石墨烯层的接触面积。

2.如权利要求1所述的非对称面积石墨烯金属异质结光电探测器，其特征在于，

所述高功函电极的长度为400微米，宽度为100微米，厚度为100纳米。

3.如权利要求2所述的非对称面积石墨烯金属异质结光电探测器，其特征在于，

所述低功函电极的长度为400微米，宽度为100微米，厚度为100纳米。

4.如权利要求3所述的非对称面积石墨烯金属异质结光电探测器，其特征在于，

所述间隙的宽度为2微米～50微米。

5.如权利要求4所述的非对称面积石墨烯金属异质结光电探测器，其特征在于，

所述石墨烯层的长度为402～450微米，宽度为100微米。

6.如权利要求5所述的非对称面积石墨烯金属异质结光电探测器，其特征在于，

所述石墨烯层与所述高功函电极的接触长度为350微米，所述石墨烯层与所述低功函电极的接触长度为50微米，所述三氧化二铝钝化层的厚度为10纳米。