[实用新型]一种SiC IGBT驱动和保护系统

权利要求书

1.一种SiC IGBT驱动和保护系统，其特征在于，包括集成的控制单元，控制单元外还集成有驱动单元、米勒钳位单元、短路软关断单元；所述驱动单元的输出管脚VO通过驱动电路连接IGBT的栅极IGBT_HG；所述米勒钳位单元的输出管脚MC通过驱动电平检测电路连接IGBT的栅极IGBT_HG；所述IGBT的发射极IGBT_HE与集电极IGBT_HC之间通过短路检测电路连接，短路检测电路的输出端连接短路软关断单元的检测管脚DESAT，短路软关断单元的输出控制管脚SSD连接IGBT的栅极IGBT_HG。

2.根据权利要求1所述的SiC IGBT驱动和保护系统，其特征在于，所述米勒钳位单元包括开关管T4和比较器U5，驱动电平检测电路包括电阻R6，IGBT的栅极IGBT_HG通过R6连接管脚MC，管脚MC和VEE2分别连接开关管T4的两端和比较器U5两相输入端，比较器U5输出端连接控制单元，当检测驱动电平低于VEE2电平的+2V时，控制单元控制开关管T4导通，使IGBT_HG的电位与VEE2处电位相同，IGBT关闭。

3.根据权利要求2所述的SiC IGBT驱动和保护系统，其特征在于，所述短路检测电路包括电容C1、二极管D1、D2和电阻R1，所述电容C1、电阻R1和二极管D2依次串联，其中电容C1一端连接IGBT_HE，二极管D2阴极连接IGBT_HC，所述二极管D1与电容C1并联，电容C1与电阻R1的共结点作为输出端连接管脚DESAT。

4.根据权利要求3所述的SiC IGBT驱动和保护系统，其特征在于，所述短路软关断单元包括开关管T1、T5和比较器U3、非门U4，管脚DESAT和VE分别连接开关管T1的两端和比较器U3的两相输入端，比较器U3的输出端连接控制单元，控制单元通过非门U4连接开关管T1的控制端；控制单元连接控制开关管T5，T5的两端分别连接管脚SSD和VEE2, 管脚SSD直接连接IGBT的栅极IGBT_HG。

5.根据权利要求4所述的SiC IGBT驱动和保护系统，其特征在于，所述驱动电路包括P型三极管Q1、N型三极管Q2，电阻R2～R5，二极管D3、D4，其中电阻R2一端连接驱动管脚VO，另一端分别连接三极管Q1、Q2的基极，三极管Q1、Q2的集电极分别连接供电端VCC2和管脚VEE2，发射极共结，共结的发射极与基极之间连接电阻R3，所述二极管D3、D4的阴极共结，分别并联电阻R4、R5，D3阳极连接两三极管发射极，D4阳极连接IGBT的栅极IGBT_HG。

6.根据权利要求5所述的SiC IGBT驱动和保护系统，其特征在于，所述驱动单元包括两个串联的开关管T2、T3，开关管T2、T3共结连接管脚VO，开关管T2另一端连接VCC2，T3另一端连接VEE2。