[实用新型]基于CMOS图像传感的光波导微流体芯片

权利要求书

1.一种基于CMOS图像传感的光波导微流体芯片，包括：光波导和微流道，所述光波导用以将光沿水平方向导入所述微流道内，其特征在于：

还包括：依次由下而上设置的CMOS图像传感层、下包层、波导层和上包层；所述波导层是在25-150℃沉积温度下形成的氮化硅材料，所述波导层用以形成所述光波导；

所述微流道由上而下贯穿所述上包层、所述波导层和所述下包层以暴露出所述CMOS图像传感层；

所述下包层是厚度为15～30μm的高分子聚合材料，所述上包层是厚度为15～30μm的高分子聚合材料，所述微流道宽度为10-100μm。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，若干个所述光波导相互平行，以将光导入所述微流道，所述光波导的宽度为300-600nm。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，整层或大部分所述波导层形成一个片状的所述光波导。

4.根据权利要求1～3任一所述的芯片，其特征在于，所述波导层厚度为150-1000nm。

5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括氮化硅材料的入射光栅，以与所述光波导形成耦合光波导，将所述上包层上方的光导入所述光波导直至导入所述微流道；所述入射光栅凸出于所述波导层向上延伸进所述上包层。

6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，包括若干个相互平行的所述耦合光波导。

7.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述波导层厚度为150nm-1000nm，所述耦合光波导的宽度为300-600nm。

8.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，还包括光纤，所述光纤与所述光波导光连接。

9.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述波导层的折射率为1.75-2.2。

10.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述高分子聚合材料是SU-8树脂、聚酰亚胺、聚二甲基硅烷、聚乙烯或苯丙环丁烯。