[实用新型]一种抗辐射加固存储器有效
申请号: | 202020129531.1 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN211124024U | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 李诚 | 申请(专利权)人: | 青岛本原微电子有限公司 |
主分类号: | G06F11/18 | 分类号: | G06F11/18;G06F11/10 |
代理公司: | 青岛联智专利商标事务所有限公司 37101 | 代理人: | 王笑 |
地址: | 266200 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辐射 加固 存储器 | ||
1.一种抗辐射加固存储器,其特征在于,包括:检二纠一电路、三模冗余电路、和刷新电路;其中,所述刷新电路包括刷新控制器、刷新寄存器、控制选择器和数据选择器;
所述检二纠一电路包括编码电路和译码电路,二者分别连接存储器的输入端与输出端;
所述三模冗余电路,其输入端连接所述译码电路的输出端,其输出端连接所述数据选择器的刷新读写输入端;
所述刷新寄存器用于配置所述刷新控制器的刷新频率以及刷新使能;所述刷新控制器产生刷新所述存储器的刷新控制信号输出至所述控制选择器的第一输入端,以及基于所述刷新寄存器的配置产生刷新频率输出至所述控制选择器和数据选择器;所述控制选择器的第二输入端连接存储器的正常读写控制信号,其输出连接所述编码电路的输入端;所述数据选择器的第二输入端连接所述存储器的正常读写输入端;所述数据选择器的输出端连接所述编码电路的输入端。
2.根据权利要求1所述的抗辐射加固存储器,其特征在于,所述刷新寄存器包括刷新使能设置位和刷新周期设置位;其中,所述刷新周期设置位可设置最高二分之一存储器读写时钟频率的刷新频率。
3.根据权利要求2所述的抗辐射加固存储器,其特征在于,所述刷新控制器包括分频器,用于将所述存储器读写时钟频率分频为所述刷新寄存器配置的刷新频率。
4.根据权利要求1所述的抗辐射加固存储器,其特征在于,所述刷新控制器包括:
刷新仲裁电路,包括比较器、第一与门和第二与门,所述比较器的第一输入端连接刷新控制信号中的刷新地址信号,其第二输入端连接正常读写控制信号中的正常读写地址信号,其输出端连接第一与门的第一输入,第一与门的第二输入连接正常读写控制信号中的正常写信号,第一与门的输出端连接第二与门的第一输入端,第二与门的第二输入端连接刷新控制信号中的初始刷新写信号,第二与门的输出连接控制选择器的第一输入端;
其中,在刷新地址与正常读写地址相等时产生冲突指示信号。
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