[实用新型]一种预切割的碳化硅晶圆片

说明书

本实用新型公开了一种预切割的碳化硅晶圆片，包括碳化硅衬底、功能层和背金层，所述功能层设有若干器件区以及位于相邻器件区之间的切割道，所述背金层设有与所述切割道相对应的开槽区，所述开槽区底部设有至少两条与对应切割道的延伸方向平行并深入所述衬底的凹槽。本实用新型的晶圆片是对划片工艺的预切割，一方面保证了晶圆分成单颗芯粒时不会受背面金属影响，解决了金属延展性造成的双晶异常，另一方面可以引导划片裂片中的受压应力沿着切割道平行方向，有效降低垂直于切割道方向的崩边比例，提高了划片效率和制程良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种预切割的碳化硅晶圆片。

背景技术

晶圆片在器件结构制作完成后，需要分割成若干单粒芯片。现有的划片方式包括激光隐形切割技术，是使用激光在晶圆片内部进行改质加工形成改质层，然后裂片、扩晶，将晶圆分割成若干单颗芯片。但是由于晶圆的背面金属具有很强的延展性，存在裂片后晶圆部分被分开成芯粒，而背面金属未被分开，导致双晶等问题，影响了分片效率和良率。此外，在裂片过程中由于受压力作用，脆性的衬底容易产生不在切割道方向上的裂纹而导致崩边，同样影响了制程良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种预切割的碳化硅晶圆片。

为了实现以上目的，本实用新型的技术方案为：

一种预切割的碳化硅晶圆片，包括碳化硅衬底、设于所述衬底正面的功能层和设于所述衬底背面的背金层，所述功能层设有若干器件区以及位于相邻器件区之间的切割道，所述背金层设有与所述切割道相对应的开槽区，所述开槽区的底部设有至少两条与对应切割道的延伸方向平行并深入所述衬底的凹槽。

可选的，所述开槽区的宽度小于对应的切割道的宽度。

可选的，所述凹槽深入所述衬底的深度为0.5～200um。

可选的，所述开槽区内的凹槽的宽度为1～20um，且相邻凹槽的间距为1～20um。

可选的，所述背金层的厚度为1～5um。

可选的，所述开槽区通过设置复数个所述凹槽形成波浪状表面。

可选的，所述开槽区底部附有所述背金层金属和碳化硅的激光熔融物。

可选的，所述开槽区的底部与所述衬底背面平齐，所述凹槽由所述底部向所述衬底内部延伸。

可选的，所述衬底的厚度为50～600um。

可选的，所述背金层是Au、Ag、Cu或上述金属与Ti、Ni中至少一种的叠层结构。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型的背金层设有与所述切割道相对应的开槽区，且开槽区底部的衬底上设有平行相应切割道的凹槽，一方面保证了晶圆分成单颗芯粒时不会受背面金属影响，解决了金属延展性造成的双晶异常，提高了分片效率和良率；另一方面深入衬底的平行于切割道的凹槽的设置可以引导划片裂片中的受压应力沿着切割道平行方向释放，有效降低背面垂直于切割道方向的崩边比例，进一步提高制程良率；又一方面，减少了预加工晶圆片厚度，降低了裂片难度，进而改善正面崩边，提升制程良率。

附图说明

图1为实施例1的结构示意图；

图2为实施例1的开槽区的实物照片；

图3为实施例2的结构示意图。

具体实施方式