[实用新型]导电带和光伏装置有效
申请号: | 202020135789.2 | 申请日: | 2020-01-20 |
公开(公告)号: | CN211789048U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 孙益民 | 申请(专利权)人: | 宁波森联光电科技有限公司;宁波林源光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人: | 李高峰;孟湘明 |
地址: | 315400 浙江省宁波市余*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 装置 | ||
本实用新型提供了一导电带和光伏装置,其中所述导电带具有一导电带背面、两个导电带侧面以及至少一个反射面,其中两个所述导电带侧面被分别设置为自所述导电带背面的长度方向的边缘位置朝上延伸而成,其中至少一个所述导电带侧面的至少部分形成所述反射面并且所述反射面被设置为倾斜的,以反射自上而下朝向所述导电带背面所在位置辐射而被所述反射面阻挡的光线。
技术领域
本实用新型涉及到导电领域,尤其涉及到导电带和光伏装置。
背景技术
导电带是一种常见的电连接介质,可以在至少两个导电件之间传递电能并且起到连接作用,比如说在太阳能光伏组件的电池片中,由于单个电池片的输出电压较低,需要通过该导电带将多个电池片串联或者是并联,然后形成完整的回路。该导电带被镀有焊接层,然后通过焊接层被连接于电池片的正面或者背面,在导电的同时连接多个电池片以成为一个整体。
参考附图1所示,以该导电带1P连接于两个电池片2P为例进行说明,一个电池片2P被连接于该导电带1P的正面,另一个电池片2P被连接于该导电带1P 的背面。对于该导电带1P而言,该导电带1P的上表面需要和电池片2P接触,该导电带1P的下表面也需要和电池片2P接触。该导电带1P通常被设置有焊层 20P,以有利于该导电带1P和电池片2P的稳固连接,并且焊层20P的厚度越厚,该导电带1P和电池片2P之间的连接就更加稳固,同时需要的焊料就更多,导致导电带1P的生产成本上升。
进一步地,电池片2P的表面用于接收光线,以将光能转换为电能,其光电转换效率极大地受制于电池片2P表面的暴露面积。一些实验数据表明,如果一个电池片2P的表面遮蔽,那么整个光伏组件的光电转换效率都会大幅下降。当借助该导电带1P连接于电池片2P时,难以避免地会因为该导电带1P而对于电池片2P表面进行遮蔽。
为了提高整个光伏组件对于太阳能的收集效率,目前采用的手段是将导电带 1P作为反光导电带1P使用。详细地说,在电池片2P的上方设置一个反光板,该反光导电带1P位于电池片2P和反光板之间。该导电带1P的焊层20P能够反射光线至该反光板,然后该反光板会反射光线至该电池片2P的未被遮蔽区域,以使得原本应该落入该电池片2P而被该导电带1P阻挡的光线能够重新落入该电池片2P,从而提高该电池片2P的光电转换效率。
该反光导电带1P用于反射光线的表面会通常被设置为凹凸起伏的,以有利于提高对于光线的反射效率。具体地说,该反光导电带1P包括一导电基体10P 和该焊层20P,其中该焊层20P被贴附于该导电基体10P的表面,并且该焊层 20P的至少部分用于反光。该导电基体10P的上表面或者下表面可以被设置为凹凸起伏的,该焊层20P被设置于该导电基体10P的上表面或者是下表面,然后形成该反光导电带1P的凹凸起伏的上表面或者下表面。
当该反光导电带1P被安装于电池片2P的正面进行焊接时,由于焊接导致温度的升高,使得该反光导电带1P的上表面一侧的该焊层20P的至少部分融化并且流到该导电基体10P的凹陷处,从而使得整个该反光导电带1P的凹凸起伏变的平缓,甚至有可能趋向平面,从而削弱了原先的凹凸起伏反射面带来的优势,不利于对光线的反射。为了避免或者是减少这种情况的发生,焊层20P需要被设置的较薄。
换句话说,当该导电带1P位于一个电池片2P的正面时,该导电带1P的对应于下表面的该焊层20P需要被设置的较厚,以有利于和电池片2P的稳固连接,而该导电带1P位于一个电池片2P的背面时,该导电带1P的对应于上表面的该焊层20P需要被设置的较厚,以有利于和电池片2P的稳固连接。然而出于对于太阳能收集效率的考虑,当该导电带1P位于一个电池片2P的正面时,该导电带 1P的对应于上表面的该焊层20P需要被设置的较薄。
对于该导电带1P而言,该导电带1P的上表面一侧的该焊层20P部分的厚度需要被分段控制,在一些位置需要被设置的较厚,在另一些位置需要被设置的较薄,这无疑对于该导电带1P的制造工艺提出了较高的要求,并且在使用过程中,还需要使用者对于该导电带1P的上表面的厚薄部分进行区别,这也给该导电带 1P的后续使用造成了不便。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的