[实用新型]托盘及其金属有机化学气相沉积反应器有效

专利信息
申请号: 202020138314.9 申请日: 2020-01-21
公开(公告)号: CN211445893U 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 胡建正;陈耀;姜勇;郭世平 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司
主分类号: C23C16/458 分类号: C23C16/458;C23C16/30
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 包姝晴;张静洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 托盘 及其 金属 有机化学 沉积 反应器
【权利要求书】:

1.一种托盘,其特征在于,包括:

所述托盘,可沿其中心轴转动,具有托盘面,设有若干个凹陷于所述托盘面的基片槽,每个所述基片槽内设置若干个支撑台,所述支撑台用于支撑待处理基片,支撑台的上表面与托盘面之间的高度差使得当所述待处理基片置于所述支撑台时,所述待处理基片的上表面到支撑台对应的上表面具有第一距离,所述托盘面到支撑台对应的上表面具有第二距离,所述第一距离减去第二距离的差值为:-80微米~80微米。

2.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述第一距离减去第二距离的差值为:-50微米~50微米。

3.如权利要求2所述的托盘,其特征在于,所述第一距离与第二距离相等。

4.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述中心轴与托盘的交点为托盘的旋转中心,所述基片槽包括远心端和近心端,所述远心端到旋转中心的距离大于近心端到旋转中心的距离;所述基片槽还包括基片槽底部,所述支撑台的上表面高于等于基片槽底部。

5.如权利要求4所述的托盘,其特征在于,所述支撑台的上表面平行于水平面,所述支撑台的上表面高于基片槽底部,所述基片槽底部的凹陷深度沿由旋转中心向托盘边缘延伸的方向逐渐增大。

6.如权利要求4所述的托盘,其特征在于,所述基片槽底部平行于水平面,所述支撑台的上表面高于基片槽底部,所述远心端的支撑台的上表面高于近心端的支撑台的上表面。

7.如权利要求4所述的托盘,其特征在于,还包括:设于所述托盘面上的至少一个挡块,所述挡块位于所述远心端,用于阻挡所述待处理基片飞出。

8.如权利要求4所述的托盘,其特征在于,还包括:设置于所述远心端基片槽内侧壁的隔热材料;所述隔热材料包括:氧化铝、氮化硼、氮化铝或者氧化锆中的一种或者多种组合。

9.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,所述支撑台是由基片槽的内侧壁向基片槽的中心延伸。

10.如权利要求4所述的托盘,其特征在于,所述支撑台的上表面高于基片槽底部,所述支撑台位于所述基片槽底部,且所述支撑台与基片槽的侧壁之间具有间隙。

11.如权利要求1所述的托盘,其特征在于,还包括:位于所述基片槽远心端内表面的第一发射材料层;位于所述基片槽近心端内表面的第二发射材料层,所述第一发射材料层材料的发射率大于第二发射材料层材料的发射率。

12.如权利要求4所述的托盘,其特征在于,所述支撑台为基片槽底部。

13.一种包含所述托盘的金属有机化学气相沉积反应器,其特征在于,包括:

反应腔;

如权利要求1至权利要求12任一项的所述托盘,位于所述反应腔内;

旋转驱动装置,用于使所述托盘沿其中心轴转动。

14.如权利要求13所述的金属有机化学气相沉积反应器,其特征在于,还包括:加热装置,位于所述托盘下方,用于对所述托盘加热;气体喷淋头,位于所述反应腔内,与所述托盘相对设置;气体输送装置,用于向气体喷淋头内输送反应气体。

15.如权利要求13所述的金属有机化学气相沉积反应器,其特征在于,所述旋转驱动装置使所述托盘沿其中心轴转动的转速大于等于200转/分钟。

16.如权利要求13所述的金属有机化学气相沉积反应器,其特征在于,所述待处理基片表面向上依次包括过渡层、位于所述过渡层上的负极层、位于所述负极层上的发光层和位于发光层上的正极层。

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