[实用新型]存储器

说明书

本实用新型提供了一种存储器。通过将每一排填充在最边缘且紧邻的两个节点接触窗中的两个节点接触部相互连接，以构成尺寸较大的组合接触部，从而在制备节点接触部时，即能够有效保证边缘位置的组合接触部的形貌，并且在宽度较大的组合接触部的阻挡保护下，还可以避免其余的节点接触部受到大量侵蚀，提高独立设置的节点接触部的形貌精度，进而有利于提高所形成的存储器的器件性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。以及，所述存储器还包括存储电容器，所述存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储单元可通过一节点接触部电性连接所述存储电容器，从而实现各个存储单元的存储功能。

目前，一种制备节点接触部的方法例如为：首先界定出节点接触窗，接着可以填充导电材料层在所述节点接触窗中，以形成节点接触部。其中，在制备节点接触部时，导电材料层在填充节点接触窗的同时还进一步向上延伸出节点接触窗，使得填充在不同的节点接触窗中的导电材料层相互连接，基于此，即需要利用图形化工艺分断所述导电材料层，以形成相互分隔的节点接触部。

然而，图形化导电材料层以形成节点接触部时，对应在边缘位置上的节点接触部其图形形貌极易发生变形，从而会对节点接触部的性能造成不利影响，导致最终所形成的半导体器件其稳定性较差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种存储器，以解决现有的存储器其边缘位置的节点接触部容易出现形貌异常，从而影响存储器性能的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种存储器，包括：

衬底；

多条隔离柱，形成在所述衬底上，以用于界定出多个节点接触窗在所述衬底，以及所述多个节点接触窗在预定方向上对齐排布呈多排；以及，

多个节点接触部，所述节点接触部填充所述节点接触窗并呈多排排布，并且每一排填充在最边缘且紧邻的两个节点接触窗中的两个节点接触部相互连接，其中每一排中相互连接的两个节点接触部构成组合接触部，以及每一排中其余的节点接触部构成独立接触部，并且每一所述独立接触部填充一个节点接触窗。

可选的，相邻的所述节点接触部之间间隔有所述隔离柱；其中，所述组合接触部中的两个节点接触部之间间隔的隔离柱构成第一隔离柱，以及所述组合接触部中的两个节点接触部覆盖所述第一隔离柱，并在所述第一隔离柱的顶表面上相互连接。

可选的，相邻的所述独立接触部之间间隔的隔离柱构成第二隔离柱，并且所述第二隔离柱的顶表面低于所述独立接触部的顶表面；以及，所述存储器还包括第一遮蔽层，所述第一遮蔽层至少填充在相邻的所述独立接触部之间并位于所述第二隔离柱上。

可选的，所述组合接触部中的两个节点接触部之间间隔的隔离柱构成第一隔离柱，所述第一隔离柱的顶表面高于所述第二隔离柱的顶表面。

可选的，所述衬底上定义有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外侧，所述隔离柱至少形成在所述记忆体区中，以界定出所述节点接触窗在所述记忆体区中，以及，所述独立接触部位于所述组合接触部远离周边区的一侧。

可选的，所述隔离柱还形成在所述周边区中并构成第三隔离柱，以及相邻的所述第三隔离柱之间间隔有绝缘填充柱。

可选的，所述存储器还包括：电性传导层，至少形成在部分所述第三隔离柱上，其中被所述电性传导层覆盖的部分第三隔离柱的顶表面高出于未被所述电性传导层覆盖的另一部分第三隔离柱的顶表面。