[实用新型]LED发光装置以及一种LED灯具

说明书

本实用新型LED发光装置以及一种LED灯具，包括LED芯片和发光区，还包括出光口，出光口设置在发光区的出光路径上，出光口的面积小于发光区的面积，出光口与发光区之间设置有间隙；围绕在该间隙四周的围墙，围墙一端围绕发光区并与发光区贴合，围墙另一端围绕出光口并与出光口贴合，围墙内壁设置有反射层。由于出光口与发光区之间设置有间隙，同时LED芯片对自身发出的光是反射的。因此，第二部分光会在出光口与发光区之间经过不断的反射而改变发光点的位置，直到发光点位于与出光口相对应的区域，然后从出光口出射。因此，上述技术方案提高了发光区发出光的利用效率，尽而提高了发光区的亮度。

技术领域

本实用新型涉及照明技术领域，具体地说，涉及设置有LED亮度增强装置的灯具。

背景技术

当前，国内也有LED照明公司在LED亮度增强方向进行研究和实验。比较常见的方式为为将碳化硅技能应用于LED照明。选用碳化硅技能后，能将原先 LED灯光学元件运用数量下降三分之一，成本下降近50％而亮度却进步两倍，导热功能进步10倍以上。碳化硅LED灯替代蓝宝石衬底LED灯是未来开展趋势。以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体资料的研讨和开发已经得到世界各国的高度重视。因为碳化硅半导体衬底资料可制作大功率、高热导率的高频率微波器材、功率器材和照明器材，具有十分明显的功能优势。

但是使用碳化硅技术无法改变LED发光装置均匀发光的特点，虽然LED照射范围广，但是照射亮度不够。其次，上述方法增强LED亮度所需要的成本高，投入较大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述传统技术的不足之处，实用新型根据光学扩展量守恒的原理，通过设置一个比LED发光区面积小的出光口，将LED发光区发出的光完全通过出光口输出的方式来增强LED的亮度。

为解决上述问题，本实用新型所采用的技术方案是：LED发光装置，包括 LED芯片，LED芯片包括发光区，其特征在于：还包括出光口，所述出光口设置在发光区的出光路径上，所述出光口的面积小于发光区的面积，出光口与发光区之间设置有间隙；还包括围绕在该间隙四周的围墙，围墙一端围绕发光区并与发光区贴合，围墙另一端围绕出光口并与出光口贴合，围墙内壁设置有反射层。所述出光口内接圆半径为r，发光区内接圆的半径为R，所述0＜r＜R。所述出光口与发光区之间的间隙为D，所述(R-r)/2＜D＜2R。

作为上述技术方案的一种改进：所述围墙远离发光区一端连接有光阑，所述出光口设置在光阑上，所述出光口设置在光阑上，出光口四周区域是所述围墙的一部分。所述光阑朝向发光区的一面上设置有反射区。

由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，发光区发出的光中，与出光口相对的区域发出的光称为第一部分光，第一部分光能够从出光口直接出射；没有与出光口相对的区域发出的光称为第二部分光，第二部分光入射到围墙的反射层或出光口周围的反射区而被反射。由于出光口与发光区之间设置有间隙，同时LED芯片对自身发出的光是反射的。因此，第二部分光会在出光口与发光区之间经过不断的反射而改变发光点的位置，直到发光点位于与出光口相对应的区域，然后从出光口出射。因此，上述技术方案提高了发光区发出光的利用效率，尽而提高了发光区的亮度。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。

附图说明

图1是LED发光装置的主视图；

图2是图1的A-A视图；

图3是图1的右视图；

图4是LED发光装置的原理图；

图5是LED发光装置的另一种实施方式的剖视图；

图6是LED发光装置的另一种实施方式的剖视图；

图7是图6的主视图；