[实用新型]槽式湿法刻蚀装置有效
申请号: | 202020142317.X | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN211879337U | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 丁齐齐 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳;高德志 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 刻蚀 装置 | ||
1.一种槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,包括:工艺槽,至少一个酸液供应罐,连接管道,其中,所述工艺槽的位置低于酸液供应罐的位置,所述酸液供应罐通过连接管道与所述工艺槽连通,所述连接管道至少包括连接的横向管道和纵向管道,所述横向管道的入口端与所述酸液供应罐连接,所述纵向管道的出口端与所述工艺槽连接,所述酸液供应罐用于存储酸液以及将存储的酸液通过连接管道供应到工艺槽中,所述工艺槽用于将所述酸液供应罐供应的酸液稀释或者将供应的多种酸液混合,以进行刻蚀工艺;
还包括,气压保持管,所述气压保持管与横向管道连通,用于保持横向管道内的气压与外部气压平衡。
2.如权利要求1所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述气压保持管包括第一端和第二端,所述气压保持管的第一端与横向管道连通,所述气压保持管的第二端与外界空气连通。
3.如权利要求2所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述气压保持管的第一端与横向管道的上部管壁连通,所述气压保持管的第二端的位置高于横向管道的位置。
4.如权利要求3所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述气压保持管的材料以及管径尺寸与横向管道的材料以及管径尺寸相同。
5.如权利要求4所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述气压保持管的第二端口的开口方向与横向管道中酸液的流动方向的夹角大于90度。
6.如权利要求5所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述气压保持管的第二端口的开口方向与横向管道中酸液的流动方向的夹角为135度。
7.如权利要求1所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述横向管道包括入口端和出口端,所述纵向管道包括入口端和出口端,所述横向管道的入口端与酸液供应罐连接,所述横向管道的出口端与纵向管道的入口端连接,所述横向管道从入口端向出口端的方向向上倾斜,所述湿法刻蚀装置还包括支撑部件,所述支撑部件与所述横向管道接触,通过支撑部件减小横向管道向上倾斜的角度,使得所述横向管道保持水平。
8.如权利要求2所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述工艺槽的顶部具有顶部基座,所述纵向管道穿过顶部基座向工艺槽中工艺酸液。
9.如权利要求7所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述支撑部件为支撑件,所述支撑件的一端与横向管道固定连接,所述支撑件的另一端与所述顶部基座固定连接。
10.如权利要求7所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述支撑部件为悬挂件,所述悬挂件的一端与横向管道固定连接,所述悬挂件的另一端与所述酸液供应罐的外壁固定连接。
11.如权利要求9或10所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述支撑部件与所述横向管道固定的位置与所述酸液供应罐的距离小于所述横向管道总长度的1/2。
12.如权利要求11所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述支撑部件与所述横向管道固定的位置与所述酸液供应罐的距离为所述横向管道总长度的1/4-1/3。
13.如权利要求1所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述酸液供应罐与所述横向管道之间具有控制阀,所述控制阀用于控制酸液供应罐向所述工艺槽中供应酸液的通断,每次换酸开始时,所述控制阀打开,换酸结束时,所述控制阀关闭,每次换酸结束控制阀关闭后,所述横向管道中剩余的酸液的量相同。
14.如权利要求1所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,还包括纯水供应端,用于向所述工艺槽中供应纯水,以稀释工艺槽中的酸液。
15.如权利要求14所述的槽式湿法刻蚀装置,其特征在于,所述酸液供应罐供应的酸液为氢氟酸,所述纯水将供应到工艺槽中的氢氟酸稀释。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造