[实用新型]一种半导体发光元件有效
| 申请号： | 202020143788.2 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN211350691U | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 卢超;林素慧;王庆;洪灵愿 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/14;H01L33/10;H01L33/44 |
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| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 | ||
1.一种半导体发光元件，其包括：半导体发光序列，半导体发光序列由下至上包括：第一导电性半导体层、发光层和第二导电性半导体层；
透明绝缘层，其接触所述第二导电性半导体层上的一部分区域表面，并且包含在其厚度方向上贯通的第一孔；
透明导电层，其覆盖在所述第二导电性半导体层的其他区域表面，并且连续至覆盖所述透明绝缘层的上表面的一部分为止；
其特征在于：还包括：
一DBR绝缘层，位于透明绝缘层的第一孔内，并且覆盖所述透明绝缘层的第一孔内的至少部分第二导电性半导体层表面；
第二电极打线部，底面覆盖所述的透明绝缘层的第一孔，并且覆盖所述透明绝缘层的第一孔的周围的上表面，以及覆盖透明绝缘层的上表面的至少部分透明导电层的上表面。
2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述DBR绝缘层，位于透明绝缘层的所述第一孔内，并且覆盖透明绝缘层的所述第一孔内的部分第二导电性半导体层表面；所述第二电极打线部，底面同时覆盖所述透明绝缘层的所述第一孔内的其余第二导电性半导体层表面。
3.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的DBR绝缘层为一块或多块。
4.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的DBR绝缘层为折射率相对高的第一绝缘材料和折射率相对低的第二绝缘材料各至少一层或重复堆叠成多层。
5.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的DBR绝缘层的总厚度为600nm以上。
6.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述透明绝缘层的第一孔的开口水平宽度为所述第二电极打线部的底面水平宽度的80％以下。
7.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述DBR绝缘层高于所述透明绝缘层的厚度。
8.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的DBR绝缘层与第二导电性半导体层之间具有所述透明绝缘层。
9.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：第二电极还包括扩展条，扩展条位于透明导电层上。
10.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：相对于透明绝缘层的最临近第二导电性半导体层的底面，所述的透明绝缘层的侧壁，具有倾斜角，倾斜角的范围为30~70度。
11.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：相对于DBR绝缘层的最临近第二导电性半导体层的底面，所述的DBR绝缘层的侧壁具有倾斜角，倾斜角的范围为20~80度。
12.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光元件为氮化物半导体发光元件。
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