[实用新型]激光退火设备有效
| 申请号： | 202020145155.5 | 申请日： | 2020-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN211238169U | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 谢凯;王福金;黄凯斌;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/324;H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 退火 设备 | ||
1.一种激光退火设备，其特征在于，该激光退火设备包括:
卸载单元，用于将晶片导入与导出该激光退火设备；
制作工艺单元，用于对该晶片进行激光退火制作工艺；
传送单元，用于在该卸载单元与该制作工艺单元之间传送该晶片；
承载元件，设置在该制作工艺单元中，用于托持该晶片；
影像提取单元，设置在该制作工艺单元中并且位于该承载元件的上方，用于提取该晶片的一检测晶片图；以及
制作工艺监控单元，连接至该影像提取单元，用于判定该晶片是否异常。
2.根据权利要求1所述的激光退火设备，其特征在于，其中该影像提取单元在该激光退火制作工艺之前提取该晶片的一处理前检测晶片图，并且在该激光退火制作工艺之后提取该晶片的一处理后检测晶片图，该制作工艺监控单元通过比较该处理前检测晶片图与该处理后检测晶片图，判定该晶片是否异常。
3.根据权利要求1所述的激光退火设备，其特征在于，该承载元件包括多个升降梢，用于在该承载元件上垂直移动该晶片。
4.根据权利要求1所述的激光退火设备，其特征在于，该制作工艺单元包括处理区以及两暂置区，该承载元件可在该处理区以及两该暂置区之间运送该晶片。
5.根据权利要求4所述的激光退火设备，其特征在于，该影像提取单元设置在该处理区中。
6.根据权利要求4所述的激光退火设备，其特征在于，其中该影像提取单元设置在两该暂置区中。
7.根据权利要求1所述的激光退火设备，其特征在于，若该制作工艺监控单元判定该晶片有异常，则触发警讯并对该激光退火设备执行维护程序，并于该维护程序中取出该晶片。
8.根据权利要求1所述的激光退火设备，其特征在于，该影像提取单元包括超音波扫描器、电荷耦合元件影像传感器或互补金属氧化物半导体影像传感器。
9.根据权利要求1所述的激光退火设备，其特征在于，该影像提取单元包括红外线热影像传感器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
