[实用新型]一种环形压控振荡器的版图结构有效

专利信息
申请号: 202020145436.0 申请日: 2020-01-22
公开(公告)号: CN212086171U 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 屈河锦 申请(专利权)人: 重庆芯龙科技有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 代理人: 熊光红
地址: 400010 重庆市*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 环形 压控振荡器 版图 结构
【说明书】:

实用新型公开了一种环形压控振荡器的版图结构,包含第一增益版图区域、第二增益版图区域、第三增益版图区域、第四增益版图区域,其所述第一增益版图区域、第二增益版图区域、第三增益版图区域、第四增益版图区域依次串行布局连接;所述第一增益版图区域、第二增益版图区域、第三增益版图区域、第四增益版图区域均包含NMOS管和PMOS管,第一增益版图区域的PMOS管与第二增益版图区域的PMOS管相邻呈一字排列,第三增益版图区域、第四增益版图区域的元器件版图位置与第一增益版图区域、第二增益版图区域的元器件版图位置相同。本实用新型解决了环形压控振荡器现有的版图结构寄生参数较大和版图面积较大的问题。

技术领域

本实用新型涉及集成电路设计领域,具体涉及一种环形压控振荡器的版图结构。

背景技术

环形压控振荡器可以实现频率随控制电压变化而变化,因此被广泛的应用在频率合成器中,现有技术中的环形压控振荡器版图由于受电路结构的影响,通常呈纵向结构分布的环形压控振荡器的增益单元在布局时也呈纵向分布,此结构走线较长所占面积较大,且走线较长相应的寄生参数会较大,寄生参数一般有寄生电容、寄生电感,寄生参数会影响环形压控振荡器的电路性能,比如振荡频率降低,为了让振荡频率不受影响导致往往在振荡器中需要多增加部分器件去调节振荡频率,这样器件增多,导致版图面积较大不利于整体布局且增加生产成本。

实用新型内容

本实用新型提供一种环形压控振荡器的版图结构,解决了环形压控振荡器现有的版图结构寄生参数较大和版图面积较大的问题。

本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是:

一种环形压控振荡器的版图结构,包含第一增益版图区域、第二增益版图区域、第三增益版图区域、第四增益版图区域,所述第一增益版图区域、第二增益版图区域、第三增益版图区域、第四增益版图区域依次串行布局连接;所述第一增益版图区域、第二增益版图区域、第三增益版图区域、第四增益版图区域均包含第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管,第一增益版图区域的2个PMOS管与第二增益版图区域的2个PMOS管相邻呈一字排列形成PMOS管组;

第一增益版图区域的第一NMOS管、第二NMOS管分别位于PMOS管组两端且以PMOS管组进行轴对称,第一增益版图区域的第三NMOS管位于PMOS管组的一侧且位于第一增益版图区域的第一NMOS管、第二NMOS管的中间;第二增益版图区域的第一NMOS管、第二NMOS管分别与第一增益版图区域的第一NMOS管、第二NMOS管一一对应相邻且位于PMOS管组两端,第二增益版图区域的第三NMOS管位于PMOS管组的另一侧且位于第二增益版图区域的第一NMOS管、第二NMOS管的中间;第三增益版图区域、第四增益版图区域的元器件版图位置与第一增益版图区域、第二增益版图区域的元器件版图位置相同。

本实用新型通过第一增益版图区域、第二增益版图区域、第三增益版图区域、第四增益版图区域依次串行布局连接,各增益版图区域依次排列,实现各增益版图区域逐级之间连线最短,且各个增益版图区域的第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管位置紧密合理且呈对称排列,元器件间走线较短,走线短会大大减轻寄生参数对电路的影响,使得电路性能更优良,且无须多增加元器件去减轻寄生参数对振荡频率的影响,有效的缩小了版图面积。

本实用新型带来的有益效果是:本实用新型的版图结构充分考虑模块内的寄生参数对实际电路性能的影响,通过对各增益版图区域的串行布局和各增益版图区域的元器件紧密、对称布局,有效缩减版图面积和走线长度,更好的实现了环形压控振荡器的功能。

附图说明

图1为实施例1的整体布局布线图;

图2为实施例1的第一增益版图区域和第二增益版图区域的布局布线图;

图3为现有技术的整体布局布线图;

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