[实用新型]方形元胞结构有效
| 申请号： | 202020158742.8 | 申请日： | 2020-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN211295104U | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 鄢细根;黄兆俊 | 申请（专利权）人： | 凯茂半导体（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国（福建）自*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方形 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种方形元胞结构，包括：第一导电类型衬底；其特征在于，所述方形元胞结构还包括：位于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层和位于所述第一导电类型外延层上的栅极结构；位于所述第一导电类型外延层内的第二导电类型体区；位于所述第二导电类型体区内的回形第一导电类型源区；位于所述回形第一导电类型源区的四个直角区域的阻挡区。
2.根据权利要求1所述的方形元胞结构，其特征在于，
所述第二导电类型体区形成所述阻挡区。
3.根据权利要求2所述的方形元胞结构，其特征在于，
所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
4.根据权利要求3所述的方形元胞结构，其特征在于，
所述第一导电类型衬底为第一浓度N型衬底；所述第一导电类型外延层为第二浓度N型外延层；所述回形第一导电类型源区为第一浓度N型源区。
5.根据权利要求4所述的方形元胞结构，其特征在于，
所述第一导电类型衬底为N+型衬底；所述第一导电类型外延层为N-型外延层；所述回形第一导电类型源区为N+型源区。
6.根据权利要求1所述的方形元胞结构，其特征在于，
所述栅极结构包含栅氧化层和位于所述栅氧化层上的多晶硅层。
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