[实用新型]光电二极管

权利要求书

1.一种光电二极管，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括第一掺杂剂类型的第一衬底层和在所述第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层；

所述半导体衬底中的多个半导体壁；

其中所述多个半导体壁包括：

第一外半导体壁和第二外半导体壁，在第一方向上彼此平行延伸，所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁中的每个外半导体壁具有第一长度；和

多个内半导体壁，在所述第一方向上彼此平行延伸，并且被定位在所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁之间，所述多个内半导体壁包括：

第一内半导体壁，具有小于所述第一长度的第二长度；和

第二内半导体壁和第三内半导体壁，各自具有小于所述第二长度的第三长度，其中所述第二内半导体壁被定位在所述第一外半导体壁和所述第一内半导体壁之间，并且其中所述第三内半导体壁被定位在所述第二外半导体壁和所述第一内半导体壁之间。

2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述多个内半导体壁沿其长度在公共轴线处居中，所述公共轴线在所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁之间延伸并且垂直于所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁延伸。

3.根据权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，所述多个半导体壁还包括在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此平行地延伸的第三外半导体壁和第四外半导体壁，并且其中所述多个内半导体壁被定位在所述第三外半导体壁所述第四外半导体壁之间。

4.根据权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，所述第三外半导体壁和所述第四外半导体壁的端部被耦合至所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁的端部。

5.根据权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，所述第三外半导体壁和所述第四外半导体壁以及所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁至少部分地围绕所述光电二极管的有源区。

6.根据权利要求3所述的光电二极管，其特征在于，所述第三外半导体壁和所述第四外半导体壁以及所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁围绕所述光电二极管的有源区。

7.根据权利要求2所述的光电二极管，其特征在于，所述多个内半导体壁还包括：

第四内半导体壁和第五内半导体壁，各自具有大于所述第三长度的第四长度，其中所述第四内半导体壁被定位在所述第一外半导体壁和所述第二内半导体壁之间，并且其中所述第五内半导体壁被定位在所述第二外半导体壁和所述第三内半导体壁之间。

8.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，所述第四长度小于所述第二长度。

9.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，所述多个内半导体壁还包括：

第六内半导体壁和第七内半导体壁，各自具有小于所述第四长度的第五长度，其中所述第六内半导体壁被定位在所述第一外半导体壁和所述第四内半导体壁之间，并且其中所述第七内半导体壁被定位在所述第二外半导体壁和所述第五内半导体壁之间。

10.根据权利要求9所述的光电二极管，其特征在于，所述第五长度等于所述第三长度。

11.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述多个半导体壁还包括在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的第三外半导体壁，并且其中所述多个内半导体壁的端部被耦合至所述第三外半导体壁。

12.根据权利要求11所述的光电二极管，其特征在于，所述第三外半导体壁以及所述第一外半导体壁和所述第二外半导体壁至少部分地围绕所述光电二极管的有源区。