[实用新型]一种功率半导体模块结构有效
| 申请号： | 202020183263.1 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN211150546U | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 洪思忠;胡羽中 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L25/07;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 模块 结构 | ||
1.一种功率半导体模块结构，其特征在于，包括：若干个并联设置的芯片、上覆铜基板、下覆铜基板、驱动端子、电极端子、金属块和塑封树脂；
所述芯片和驱动端子分别焊接于所述下覆铜基板的覆铜层，所述驱动端子包括：上桥驱动端和下桥驱动端；
所述电极端子焊接于所述下覆铜基板的覆铜层，所述电极端子包括：正极、负极和交流输出极；
所述金属块焊接于所述芯片的表面，其中上桥区域的金属块的上表面与所述上覆铜基板的左侧铜层连接，所述上覆铜基板的左侧铜层与所述交流输出极连接，其中下桥区域的金属块的上表面与所述上覆铜基板的右侧铜层连接，所述上覆铜基板的右侧铜层与负极连接；
所述上覆铜基板与下覆铜基板之间通过塑封树脂连接。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块结构，其特征在于，包括：热敏电阻端；所述热敏电阻端通过焊料焊接于下覆铜基板的覆铜层。
3.根据权利要求1所述的功率半导体模块结构，其特征在于，所述上覆铜基板包括：绝缘陶瓷层和设置于绝缘陶瓷层上下两面的覆铜层。
4.根据权利要求1所述的功率半导体模块结构，其特征在于，所述下覆铜基板包括：绝缘陶瓷层和设置于绝缘陶瓷层上下两面的覆铜层，其中一面的覆铜层具有间隔分布的左侧铜层、右侧铜层。
5.根据权利要求1所述的功率半导体模块结构，其特征在于，所述芯片为SiC MOSFET芯片或者IGBT芯片。
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