[实用新型]一种功率半导体模块用电极结构有效
| 申请号： | 202020183272.0 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN211629090U | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 洪思忠;胡羽中 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 模块 用电 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率半导体模块用电极结构，其特征在于，所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区，所述凹槽区由点阵排列的凹槽构成。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块用电极结构，其特征在于，所述点阵排列的凹槽设置在所述电极弯折处的两面。
3.根据权利要求1所述的功率半导体模块用电极结构，其特征在于，所述凹槽区的宽度为2-3mm。
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