[实用新型]一种半导体抛光片清洗设备有效

专利信息
申请号: 202020188596.3 申请日: 2020-02-20
公开(公告)号: CN211700203U 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 祝斌;刘姣龙;裴坤羽;武卫;孙晨光;刘建伟;王彦君;王聚安;由佰玲;刘园;常雪岩;杨春雪;谢艳;刘秒;吕莹;徐荣清 申请(专利权)人: 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/677;H01L21/02
代理公司: 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 代理人: 栾志超
地址: 300384 天津市滨海*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 抛光 清洗 设备
【说明书】:

实用新型提供一种半导体抛光片清洗设备,包括:分离单元:用于将抛光后的硅圆片与装载所述硅圆片的一号片篮脱离分开;清洗单元:包括若干连续设置的清洗装置,用于对所述硅圆片进行清洗;合体单元:将清洗后的所述硅圆片装载入二号片篮中;在所述分离单元、所述清洗单元和所述合体单元中,分别设有独立的机械手对所述一号片篮或所述硅圆片进行移动操作。本实用新型先将装有抛光片的片篮与硅圆片分离,再对硅圆片进行分步清洗,清洗后的硅圆片再重新装入另一片篮中,同时在整个清洗过程中使用多个机械手对各个工序进行独立操作硅圆片,防止花篮和机械手对硅圆片造成二次污染,清洗质量好,清洗效率高。

技术领域

本实用新型属于半导体硅圆片清洗技术领域,尤其是涉及一种半导体抛光片清洗设备。

背景技术

化学机械抛光后的硅圆片是生产超大规模集成电路的基材,超大规模集成电路內纳米级的电器元件及电路连接线如果遭到颗粒污染物和金属污染物的污染,很容易造成芯片内电路形成短路或断路的功能损坏,导致集成电路的失效。然而在化学机械抛光后,硅圆片表面会附着有颗粒污染物和金属污染物,如果不能在化学机械抛光后通过清洗去除附着在硅圆片表面的颗粒污染物和金属污染物,硅圆片将不能用于超大规模集成电路生产,这将直接降低硅圆片的品质和价格,致使成品率较低,生产成本大。

现有清洗过程中,都是用盛放抛光后的硅圆片的片篮从开始药液清洗开始,一直到清洗结束都是用同一个片篮和移动操作工具,这样会给硅圆片造成二次污染,无法保证硅圆片完全彻底地清洗干净。同时,由于清洗槽结构的设计不合理,导致清洗质量差,返工率高的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种半导体抛光片清洗设备,解决现有清洗过程中使用同一个承载硅圆片的片篮和移动操作工具,导致硅圆片清洗不干净的技术问题。本实用新型结构设计合理且可控性高,可有效去除化学机械抛光后硅圆片表面上残留的抛光液、颗粒污染物和金属污染物,清洗质量好,清洗效率高。

为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:

一种半导体抛光片清洗设备,包括:

分离单元:用于将抛光后的硅圆片与装载所述硅圆片的一号片篮脱离分开;

清洗单元:包括若干连续设置的清洗装置,用于对所述硅圆片进行清洗;

合体单元:将清洗后的所述硅圆片装载入二号片篮中;

在所述分离单元、所述清洗单元和所述合体单元中,分别设有独立的机械手对所述一号片篮或所述硅圆片进行移动操作。

进一步的,所述分离单元包括分离槽和置于所述分离槽内的可活动分离顶架,所述分离顶架可贯穿所述一号片篮底部并将所述硅圆片与所述一号片篮分开。

进一步的,所述分离单元还包括上载槽和第一机械手,所述上载槽置于所述分离槽远离所述清洗单元一侧,所述第一机械手将所述一号片篮和所述硅圆片一同从所述上载槽转移至所述分离槽。

进一步的,所述清洗单元包括一号液槽和二号液槽,所述一号液槽靠近所述分离单元设置;在所述二号液槽前后分别设有一号洗槽和二号洗槽设置,所述一号洗槽位于所述一号液槽和所述二号液槽之间。

进一步的,所述清洗单元还包括第二机械手和第三机械手,所述第二机械手将所述硅圆片从所述分离单元中依次移动至所述一号液槽和所述一号洗槽中进行清洗;所述第三机械手将所述硅圆片从所述一号洗槽中依次移动至所述二号液槽和所述二号洗槽中进行清洗。

进一步的,在所述一号液槽和所述二号液槽中均设有摇动装置和超声装置,所述摇动装置包括托架和置于所述托架下方的摇动手臂,所述托架用于放置所述硅圆片;所述摇动手臂可通过所述托架带动所述硅圆片进行摇摆清洗;所述超声装置包括置于所述一号液槽和所述二号液槽的超声器。

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