[实用新型]一种焊接密封系统有效
申请号: | 202020191234.X | 申请日: | 2020-02-20 |
公开(公告)号: | CN211670176U | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 陶硕;裴志强;朱京;梁立兴;张琳琳;廖兴才 | 申请(专利权)人: | 北京晨晶电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 成珊 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 焊接 密封 系统 | ||
本实用新型公开了一种焊接密封系统,包括填气模块、烘烤模块、焊接模块和传送模块,能够实现器件内部小于100PPM的水汽含量,并且可以控制封装体内部气压,精度在±500Pa以内,保证回填工艺气体纯度高于99.5%,适用于储能焊密封等军工特种工艺的密封要求。焊接密封系统的四个模块之间既可以独立运行,又可以协同工作,自动化程度高,能满足量产化需求。
技术领域
本实用新型涉及焊接封装技术领域,具体涉及一种焊接密封系统。
背景技术
目前,电子元器件广泛应用于通讯、医疗、信息存储、国防军事等不同领域。为了满足不同应用场景,对电子元器件的质量和可靠性又提出了新的要求。在电子元器件的失效模式中,内部水汽含量超标导致的器件失效占了较高比例。根据GJB597A-96《半导体集成电路总规范》及GJB5548A-96《微电子器件实验方法和程序》方法中规定:微电子器件的内部水汽含量不得超过5000*10-6。水汽含量5000*10-6对应的露点温度为-2℃。若电子元器件封装后内部的水汽含量较高,当电子元器件在温度低于露点温度的条件下工作或贮存时,水汽会在器件内表面凝露引起电参数飘移,严重时还会导致器件内金属部件腐蚀失效,引发频率飘移、继电器接触不良、电子器件性能劣化甚至丧失功能等情况。因此,电子元器件封装后内部的水汽含量直接影响了器件的灵敏度及使用寿命与可靠性。对于某些高精度要求的器件(例如,MEMS传感器等),或者应用场景要求较高的密封器件(例如,军用装备器件),则需要更加严格的内部水汽限制。
目前,电子元器件的封装一般是向手套箱内通入惰性的工艺气体,在工艺气体氛围保护下,以平行封焊、储能焊等方式对待密封件进行气密性封装。然而,在现有的封装过程中,焊接系统内部水汽以及待密封的元器件表面吸附的水汽难以被有效去除,且待密封器件在焊接系统内转移的过程中易发生二次吸附水汽,使密封后电子元器件内部残留较高的水汽含量,影响了电子元器件的性能、使用寿命以及在尖端领域的应用。
实用新型内容
因此,本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中电子元器件在焊接密封后内部残留水汽含量高的缺陷,从而提供一种能够有效降低密封元器件内部水汽、提高密封元器件内部工艺气体纯度的焊接密封系统。
为此,本实用新型提供如下技术方案:
第一方面,本实用新型提供了一种焊接密封系统,包括:
填气模块,包括用于提供工艺气体的供气单元,和连接所述供气单元的冷凝单元,所述冷凝单元用于吸附所述工艺气体中的杂质气体;
烘烤模块,包括预处理单元,与所述预处理单元相连的烘烤单元,以及分别连接所述预处理单元和所述烘烤单元的第一抽气单元;所述第一抽气单元在所述烘烤单元内形成真空环境;所述预处理单元具有接收待密封件的预处理腔室,所述烘烤单元用于对所述预处理腔室输出的待密封件进行烘烤处理,所述烘烤单元和所述预处理单元分别通过工艺气体管路连接所述冷凝单元;
焊接模块,包括用于焊接所述待密封件的焊接单元,与所述待密封件相连的出料单元,和与所述焊接单元相连的第二抽气单元;所述焊接单元接收由所述烘烤单元输出的所述待密封件,所述出料单元接收由所述焊接单元输出的密封件;所述焊接单元通过工艺气体管路连接所述冷凝单元;
传送模块,包括位于所述预处理单元与所述烘烤机构之间的第一传送机构,位于所述烘烤机构与所述焊接机构之间的第二传送机构,和位于所述焊接机构与所述出料机构之间的第三传送机构;所述第一传送机构、所述第二传送机构和所述第三传送机构具有使相邻的两个单元在连通和封闭之间转换的传送阀门。
可选地,上述的焊接密封系统,
所述烘烤单元包括接收所述待密封件的第一操作腔室,和设置于所述第一操作腔室外部的加热器;所述第一操作腔室连通所述冷凝单元和所述第一抽气单元;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造