[实用新型]一种高压LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种高压LED芯片，包括衬底，至少两个设于衬底上的发光结构，所述发光结构的侧面垂直于所述衬底，设于相邻两个发光结构之间的隔离槽，所述隔离槽贯穿所述发光结构并延伸至衬底的表面，填充在隔离槽内的填平层，所述填平层由透明不导电材料制成，设于发光结构和填平层上的绝缘层，设于绝缘层上并连接在相邻两个发光结构电极上的桥接电极。本发发光结构的侧面垂直于衬底，从而保证发光结构的发光面积。由于发光结构的侧面垂直于衬底，因此可以缩小隔离槽的宽度，从而减少桥接电极的长度，有效降低芯片的电压和提高芯片的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种高压LED芯片。

背景技术

参见图1和图2，现有的高压LED芯片一般包括衬底10、至少两个设于衬底10上的发光结构20、以及桥接电极30，其中，现有的发光结构20之间需要设置隔离槽40来将相邻两个发光结构20隔开，然后在发光结构20上以及隔离槽40形成绝缘层50，以防止芯片短路，其中，所述桥接电极30设置在绝缘层 50上并连接相邻两个发光结构的正负电极。具体的，为了形成独立的发光结构20，需要对发光结构20进行深刻蚀，使得发光结构20形成斜面的侧面，以便于在发光结构20和隔离槽40上蒸镀形成桥接电极30，若发光结构20侧面没有形成斜面，则能够蒸镀形成的桥接电极30厚度过薄，影响高压芯片的电压和稳定性。由于现有高压LED芯片的发光结构的侧面需要形成斜面，导致现有高压 LED芯片的隔离槽宽度d为18～25微米，这样会减少部分的发光面积，降低芯片的亮度。

此外，现有桥接电极设置在发光结构的斜面上，导致桥接电极的长度太长，又具有较大的高低差，桥接电极容易因高电流而烧毁。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种高压LED芯片，亮度高，稳定性好。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种高压LED芯片，包括：

衬底，

至少两个设于衬底上的发光结构，所述发光结构的侧面垂直于所述衬底，

设于相邻两个发光结构之间的隔离槽，所述隔离槽贯穿所述发光结构并延伸至衬底的表面，

填充在隔离槽内的填平层，所述填平层由透明不导电材料制成，

设于发光结构和填平层上的绝缘层，

设于绝缘层上并连接在相邻两个发光结构电极上的桥接电极。

作为上述方案的改进，所述发光结构包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层、设于有源层上的第二半导体层、设于第二半导体层上的透明导电层、设于透明导电层上的第二电极、第一电极、第一裸露区域和第二裸露区域，所述第一裸露区域和第二裸露区域沿着第二半导体层刻蚀至第一半导体层，所述第一裸露区域和第二裸露区域位于发光结构的两侧，所述第一电极设置在裸露出来的第一半导体层上，所述隔离槽设于相邻两个发光结构的第一裸露区域和第二裸露区域之间。

作为上述方案的改进，所述填平层的表面与第一裸露区域和第二裸露区域的表面齐平。

作为上述方案的改进，所述透明不导电材料为Al₂O₃、SiO₂和SiN_x中的一种。

作为上述方案的改进，所述隔离槽的宽度小于等于10微米。

作为上述方案的改进，所述隔离槽的宽度为3～6微米。

作为上述方案的改进，所述桥接电极的结构为Cr/Al/Cr/Ti/Pt/Au的叠层结构，厚度为10～50埃/1000～2000埃/100～600埃/100～800埃/100～800埃/1000～2000 埃。