[实用新型]一种多半导体开关开通电机的食品加工机有效

专利信息
申请号: 202020198376.9 申请日: 2020-02-24
公开(公告)号: CN211630111U 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 王旭宁;林小财;杜春年 申请(专利权)人: 九阳股份有限公司
主分类号: H02P29/00 分类号: H02P29/00;A47J43/07
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250117 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 多半 导体 开关 开通 电机 食品 加工
【权利要求书】:

1.一种多半导体开关开通电机的食品加工机,应用于便携式食品加工机,其特征在于,所述食品加工机包括电机和电源电路,所述电源电路用于为所述电机供电;

所述食品加工机还包括至少两个半导体开关组件,每一个半导体开关组件包括一个半导体开关,所有半导体开关串接在电机供电回路中;

所述食品加工机还包括用于控制每一个半导体开关通断的主控芯片,每一个半导体开关组件的控制端分别与所述主控芯片的一个控制管脚电连通;

在所有半导体开关导通时,所述电机开通。

2.根据权利要求1所述的食品加工机,其特征在于,所述半导体开关为金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管,电源电路负极与接地端连通;

在半导体开关为N沟道MOS管时,N沟道MOS管串接在电机负极与接地端之间;

或者,

在半导体开关为P沟道MOS管时,P沟道MOS管串接在电源电路正极与电机正极之间。

3.根据权利要求2所述的食品加工机,其特征在于,半导体开关组件为两个,两个半导体开关组件中的半导体开关均为N沟道MOS管,分别为第一MOS管和第二MOS管,第一MOS管和第二MOS管连通后串接在电机负极与接地端之间,其中:

第一MOS管的源极与第二MOS管的漏极连通,第一MOS管的漏极与所述电机的负极连通,第二MOS管的源极与接地端连通;

第一MOS管的栅极与所述主控芯片的第一控制管脚连通,第二MOS管的栅极与所述主控芯片的第二控制管脚连通。

4.根据权利要求2所述的食品加工机,其特征在于,半导体开关组件为两个,其中一个半导体开关组件中的半导体开关为P沟道MOS管,另一个半导体开关组件中的半导体开关为N沟道MOS管,P沟道MOS管串接在电源电路正极与电机正极之间,N沟道MOS管串接在电机负极与接地端之间,其中:

P沟道MOS管的漏极与电源电路正极连通,P沟道MOS管的源极与电机正极连通,P沟道MOS管的栅极与所述主控芯片的第三控制管脚连通;

N沟道MOS管的漏极与电机负极连通,N沟道MOS管的源极与接地端连通,N沟道MOS管的栅极与所述主控芯片的第四控制管脚连通。

5.根据权利要求1-4任一项所述的食品加工机,其特征在于,所述食品加工机还包括用于检测电机供电回路电流的采样电阻,所述采样电阻串接在电机供电回路中;

所述采样电阻远离接地端的一端与所述主控芯片的采样管脚连通,在至少一个半导体开关断开,且所述采样电阻上有压降时,所述主控芯片判定断开的半导体开关失效。

6.根据权利要求5所述的食品加工机,其特征在于,在至少一个半导体开关为N沟道MOS管时,所述采样电阻串接在底端N沟道MOS管源极和接地端之间,所述底端N沟道MOS管是指靠近接地端的N沟道MOS管。

7.根据权利要求2-4任一项所述的食品加工机,其特征在于,所述食品加工机还包括:用于控制N沟道MOS管通断的N沟通驱动电路,所述N沟通驱动电路串接在所述主控芯片的一个控制管脚与一个N沟道MOS管的栅极之间,其中:

所述N沟通驱动电路包括:第一电阻、第二电阻和第一电容,第二电阻和第一电容并联,其并联后的第一端分别与第一电阻的第一端和一个N沟道MOS管的栅极连通,并联后的第二端与接地端或一个N沟道MOS管的源极连通,第一电阻的第二端与主控芯片的一个控制管脚连通。

8.根据权利要求2-4任一项所述的食品加工机,其特征在于,所述食品加工机还包括:用于控制P沟道MOS管通断的P沟通驱动电路,所述P沟通驱动电路串接在所述主控芯片的一个控制管脚与一个P沟道MOS管的栅极之间,其中:

所述P沟通驱动电路包括:第三电阻、第四电阻、第二电容和三极管,第四电阻和第二电容并联,其并联后的第一端分别与第三电阻的第一端和三极管的基极连通,并联后的第二端与三极管的集电极连通,第三电阻的第二端与主控芯片的一个控制管脚连通;

三极管的发射极与一个P沟道MOS管的栅极连通,三极管的集电极与接地端或一个P沟道MOS管的源极连通。

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