[实用新型]一种光电子器件封装结构有效
申请号: | 202020202730.0 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN211182218U | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 李博;白庆雄 | 申请(专利权)人: | 深圳市金彩鸿光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/024;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 李海燕 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电子 器件 封装 结构 | ||
本实用新型公开了一种光电子器件封装结构,包括光电子器件本体,光电子器件本体引出两根引脚;光电子器件本体外部包覆绝缘层,绝缘层外部包覆导热树脂层,导热树脂层外侧包覆抗氧化层,抗氧化层外侧包覆耐磨层,本实用新型结构设计新颖,具有优异的绝缘、高散热、抗氧化和耐磨性能,有效的保护内部的光电子器件。
技术领域
本实用新型涉及光电子器件封装技术领域,具体为一种光电子器件封装结构。
背景技术
光电子技术是继微电子技术之后迅速发展的科技含量很高的产业,随着光电子技术的快速发展,发光二极管、有机发光二极管、太阳能电池、薄膜晶体管等光电产品都逐渐发展成熟。
光电子器件是光电子技术的关键和核心部件,是现代光电技术与微电子技术的前沿研究领域,是信息技术的重要组成部分。光电子器件发展十分迅猛,不断采用新技术、利用新材料、研究新原理、开发新产品,各种新型器件不断涌现、器件性能不断提高。从可见光探测向微光、红外、紫外、X射线探测的器件,其探测范围从γ射线至远红外甚至到亚毫米波段的广阔的光谱区域,其探测元从点探测到多点探测至两维成像器件,像元数越来越多,分辨本领越来越大。通过微光学机械电子技术的集成工艺,光电子器件的体积越来越小,集成度越来越高,各种新型固体成像器件不断被开发成功,在很多方面代替了传统的真空光电器件。随着光信息技术的需求,探测器频率响应不断被提高。
目前的光电子器件,包括有机电致发光器件、无机发光二极管、有机太阳能电池、无机太阳能电池、有机薄膜晶体管、无机薄膜晶体管等,特别是有机电子器件的快速发展,适合全球社会低碳环保,绿色生活的最具发展潜力和应用市场的光电子器件,其组成部分大都是采用有机材料制备在刚性或柔性基板上,它们虽然具有优良的器件性能,但是由于器件对外界环境具有很强的敏感性,未封装的器件在大气环境中放置后会使得器件的性能逐渐降低,甚至完全失去性能,降低器件的使用寿命。
目前的光电子器件封装结构具有一定的绝缘性能,但是散热、抗氧化性能差,无法有效的保护内部元器件,因此,有必要进行改进。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种光电子器件封装结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种光电子器件封装结构,包括光电子器件本体,所述光电子器件本体引出两根引脚;所述光电子器件本体外部包覆绝缘层,所述绝缘层外部包覆导热树脂层,所述导热树脂层外侧包覆抗氧化层,所述抗氧化层外侧包覆耐磨层。
优选的,所述绝缘层采用聚酰亚胺绝缘材料制成,所述绝缘层厚度为1mm-2mm。
优选的,所述导热树脂层包括第一环氧树脂层、第二环氧树脂层、第一石墨烯层和第二石墨烯层,所述第一环氧树脂层和第二环氧树脂层之间粘接第一石墨烯层、第二石墨烯层,所述导热树脂层厚度为2mm-3mm。
优选的,所述抗氧化层由碳纤维基层、氮化硅层与纳米复合层构成,所述纳米复合层由碳化硅层与氮化钛层组成。
优选的,所述耐磨层采用聚四氟乙烯材料制成,所述耐磨层厚度为0.2-0.4mm。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型结构设计新颖,具有优异的绝缘、高散热、抗氧化和耐磨性能,有效的保护内部的光电子器件;其中,本实用新型中绝缘层采用聚酰亚胺绝缘材料制成,其具有优异的绝缘、耐高温性能;采用的导热树脂层通过引入石墨烯层,增强了辐射传热效果,通过石墨烯层将热量转化为热辐射的形式散出,从而提高了散热效率,同时还具有高绝缘耐压可靠性;采用的抗氧化层层抗氧化性能好,防止内部器件氧化;此外,采用的耐磨层具有优异的耐磨、耐腐性能,进一步提高了封装可靠性。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型导热树脂层剖视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的