[实用新型]一种开关时间慢的桥堆改善EMI电路有效

专利信息
申请号: 202020204107.9 申请日: 2020-02-25
公开(公告)号: CN211297076U 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 周小宏 申请(专利权)人: 珠海市宏科电子科技有限公司
主分类号: H05B45/36 分类号: H05B45/36;H05B45/50;H05B45/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 519000 广东省珠海市*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 开关时间 改善 emi 电路
【权利要求书】:

1.一种开关时间慢的桥堆改善EMI电路,其特征在于:它包括整流桥堆、EMI抑制电路和延时网络电路;

其中整流桥堆的第二、第三端口连接交流电输入线路;

其中EMI抑制电路包括第一电阻、第一电容,整流桥堆的第一、第四端口分别连接第一电阻的第一端和第二端,第一电阻的第一端连接第一电容的第一端,第一电阻的第二端连接第一电容的第二端;

其中延时网络电路包括第二电阻、第三电阻、第四电阻、稳压二极管、第二电容、第三电容、第四电容和MOS开关管,第一电容的第一端分别连接第二电阻第一端、第三电阻第一端、第三电容第一端和第四电阻第一端,第一电容的第二端分别连接稳压二极管输入端、第二电容第二端和MOS开关管的S极,第二电阻第二端、第三电阻第二端、稳压二极管输出端和第二电容第一端共同连接MOS开关管的G极,所述MOS开关管的D极分别连接第四电容的第二端、第四电阻第二端,所述第三电容的第二端连接第四电容的第一端。

2.根据权利要求1所述的一种开关时间慢的桥堆改善EMI电路,其特征在于:所述MOS开关管设置有伴生二极管。

3.根据权利要求2所述的一种开关时间慢的桥堆改善EMI电路,其特征在于:所述第一电容的第一端接有第一数字地,第一电容的第二端接有第二数字地。

4.根据权利要求3所述的一种开关时间慢的桥堆改善EMI电路,其特征在于:所述第一数字地、第二数字地与电路连接的方式为与外壳连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海市宏科电子科技有限公司,未经珠海市宏科电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020204107.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top