[实用新型]适用于环路总线的短路隔离电路

权利要求书

1.一种适用于环路总线的短路隔离电路，其特征是：包括NMOS管NM1，所述NMOS管NM1的栅极端与电阻R1的一端以及反相器的输出端连接，NMOS管NM1的第一端与电阻R2的一端连接，NMOS管NM1的第二端与电阻R3的一端连接，电阻R2的另一端、电阻R1的另一端与比较器的反相端连接，电阻R3的另一端与比较器的同相端以及负载电路的电源VCC端连接，且所述比较器的电源端、反相器的电源端均与负载电路的电源VCC端连接；所述电阻R1的另一端、电阻R2的另一端以及比较器的反相端均与环路总线的电源线VIN连接，比较器的接地端、反相器的接地端以及负载电路的接地端均与环路总线的接地线GND连接；

所述电源线VIN的电压高于NMOS管NM1的导通电压时，NMOS管NM1能处于导通状态，电源线VIN通过NMOS管NM1能对电源VCC端进行充电，在负载电路的电源VCC端充电后，比较器、反相器能处于工作状态；

在比较器、反相器处于工作状态后，通过比较器对电源线VIN的电压与电源VCC端的电压比较，在电源线VIN的电压大于电源VCC端的电压时，NMOS管NM1保持导通状态，在电源线VIN的电压低于电源VCC端的电压时，通过比较器、反相器能使得NMOS管NM1处于关断状态；

在负载电路短路时，通过反相器与NMOS管NM1的配合，能使得NMOS管NM1处于关断状态，以关断电源线VIN通过NMOS管NM1形成到地的通路。

2.根据权利要求1所述的适用于环路总线的短路隔离电路，其特征是：还包括与NMOS管NM1配合的源漏选定电路，所述源漏选定电路与NMOS管NM1的第一端、NMOS管NM1的第二端连接；

在电源线VIN的电压高于电源VCC端时，通过源漏选定电路能使得NMOS管NM1的第一端选定为漏极端，通过源漏选定电路能使得NMOS管NM1的第二端选定为源极端；

在电源线VIN的电压低于电源VCC端时，通过源漏选定电路能使得NMOS管NM1的第一端选定为源极端，通过源漏选定电路能使得NMOS管NM1的第二端选定为漏极端。

3.根据权利要求2所述的适用于环路总线的短路隔离电路，其特征是：所述源漏选定电路包括二极管D1以及二极管D2，所述二极管D1的阳极端与二极管D2的阳极端以及NMOS管NM1的衬底连接，二极管D1的阴极端与NMOS管NM1的第一端连接，二极管D2的阴极端与NMOS管NM2的第二端连接。

4.根据权利要求1所述的适用于环路总线的短路隔离电路，其特征是：所述比较器包括电阻R4、电阻R5、NMOS管NM2以及NMOS管NM3，电阻R4的一端与电阻R3的另一端以及电源VCC端连接，电阻R4的另一端与NMOS管NM3的栅极端连接，电阻R5的一端与电源线VIN、电阻R1的另一端以及电阻R2的另一端连接，电阻R5的另一端与NMOS管NM2的栅极端连接；

NMOS管NM2的衬底、NMOS管NN3的衬底均与接地线GND连接；NMOS管NM2的源极端、NMOS管NM3的源极端均与NMOS管NM5的漏极端连接，NMOS管NM5的栅极端与NMOS管NM4的栅极端、NMOS管NM6的栅极端以及NMOS管NM4的漏极端连接，NMOS管NM4的源极端、NMOS管NM5的源极端以及NMOS管NM6的源极端均与接地线GND连接；

NMOS管NM2的漏极端与PMOS管PM3的漏极端、PMOS管PM4的栅极端连接，NMOS管NM3的漏极端与PMOS管PM3的栅极端、PMOS管PM4的漏极端以及PMOS管PM5的栅极端连接，所述PMOS管PM3的源极端、PMOS管PM4的源极端以及PMOS管PM5的源极端均与电源VCC端连接。

5.根据权利要求4所述的适用于环路总线的短路隔离电路，其特征是：还包括PMOS管PM1以及PMOS管PM2，所述PMOS管PM1的源极端、PMOS管PM2的源极端均与电源VCC端连接，PMOS管PM1的栅极端与PMOS管PM1的漏极端、NMOS管NM2的漏极端、PMOS管PM3的漏极端以及PMOS管PM4的栅极端连接，PMOS管PM2的栅极端与PMOS管PM2的漏极端、PMOS管PM3的栅极端、PMOS管PM4的漏极端以及PMOS管PM5的源极端连接。